CN1783374A 固态电容及其制作方法 （佳荣科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200510104829.7

[51]Int.Cl.

HO1G4/06(2006.01)

HO1G4/20(2006.01)

HO1G4/005(2006.01)

HO1G4/30(2006.01)

HO1G13/00(2006.01)

[43]公开日2006年6月7日[11]公开号CN1783374A

[22]申请日2005.9.21

[21]申请号200510104829.7

[71]申请人佳荣科技股份有限公司

地址台湾台北县五股乡五权八路31号6楼[72]发明人林廷铿李尚美黄泳胜

[74]专利代理机构北京恒信悦达知识产权代理有限公司

代理人徐雪琦

权利要求书7页说明书9页附图7页

[54]发明名称

固态电容及其制作方法

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本发明是有关于一种固态电容及其制作方法，该固态电容包含一介电层与二电极，其中该介电层的表面设置了复数个开孔，该开孔是透过一开孔制程所形成，二电极经由该开孔与该介电层连接，本发明使用掺杂复数个高温易挥发物，于烧结时造成介电层的表面形成复数开孔，该开孔与外界相通，而使该介电层的表面积增大，所以增加其电容量，且该固态电容为一物理方式储存电荷；再者，可将该固态电容重复堆叠以成为一积层电容。

200510104829.7权利要求书第1/7页

2

1、一种固态电容，其包含有：

至少一致密介电层；

至少二疏松介电层，分别设于该致密介电层的两外侧，该疏松介电层的表面设有复数个开孔，该开孔与外界相通；

两电极，分别设于该二疏松介电层的外侧，该电极是经由该复数开孔与该疏松介电层相接触。

2、如申请专利范围第1项所述的固态电容，其中该疏松介电层与该致密介电层的密度比值为0.05:1～0.95:1。

3、如申请专利范围第2项所述的固态电容，其中该疏松介电层与该致密介电层的密度比值的较佳范围：0.1:1～0.9:1。

4、如申请专利范围第3项所述的固态电容，其中该疏松介电层与该致密介电层的密度比值的最佳范围：0.15:1～0.85:1。

5、如申请专利范围第1项所述的固态电容，其中该致密介电层可为陶瓷介电层、高分子介电层及玻璃介电层的其中之一种或上述的任意组合者。

6、如申请专利范围第1项所述的固态电容，其中该疏松介电层可为陶瓷介电层、高分子介电层及玻璃介电层的其中之一种或上述的任意组合者。

7、如申请专利范围第1项所述的固态电容，其中该疏松介电

层的该开孔的孔径或宽度为1nm~100μm。

8、如申请专利范围第7项所述的固态电容，其中该疏松介电

200510104829.7权利要求书第2/7页

3

层的该开孔的孔径或宽度的较佳范围：10nm～10μm。

9、如申请专利范围第8项所述的固态电容，其中该疏松介电层的该开孔的孔径或宽度的最佳范围：5nm～50μm。

10、如申请专利范围第1项所述的固态电容，其中该疏松介电层更掺杂有至少一导电物。

11、如申请专利范围第1项所述的固态电容，其中该开孔的表面更涂布有至少一导电物。

12、如申请专利范围第10或11项所述的固态电容，其中该导电物可为碳。

13、如申请专利范围第1项所述的固态电容，其中该固态电容是以物理方式储存电荷。

14、一种固态电容的制作方法，其包含有下列步骤：

形成至少一致密介电层并于该致密介电层的两外侧分别形成至少一疏松介电层，该疏松介电层的表面有复数个开孔，该开孔与外界相通；

分别形成一电极于该疏松介电层的外侧，该电极经由该复数个开口与该疏松介电层相接触。

15、如申请专利范围第14项所述的制作方法，其中于形成至少一致密介电层并于该致密介电层的两外侧分别形成至少一疏松介电层的步骤，是掺杂有复数个导电物于该疏松介电层。

16、如申请专利范围第14项所述的制作方法，其中于形成至少一致密介电层并于该致密介电层的两外侧分别形成至少一疏松

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