CN1813354B 制作包括能带工程超晶格的半导体装置的方法 （梅尔斯科技公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN1813354B

(45)授权公告日2010.05.05

(21)申请号200480018053.0

(22)申请日2004.06.28

(30)优先权数据

10/603,6212003.06.26US

10/603,6962003.06.26US

10/647,0612003.08.22US

(85)PCT申请进入国家阶段日

2005.12.26

(86)PCT申请的申请数据

PCT/US2004/0206342004.06.28

(87)PCT申请的公布数据

WO2005/018004EN2005.02.24

(73)专利权人梅尔斯科技公司地址美国马萨诸塞

(72)发明人罗伯特·J.·梅尔斯

吉恩·A.·C·S·F·伊普彤迈尔柯·伊萨

斯科特·A.·柯瑞普斯伊利佳·杜库夫斯基

(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专

利商标事务所11038代理人秦晨

(51)Int.CI.

HO1L29/15(2006.01)

HO1L29/10(2006.01)

(56)对比文件

JP昭62-219665A,1987.09.26,说明书第4栏第2段-第9栏第2段、附图1-3.

US4882609,1989.11.21,全文.

US5216262A,1993.06.01,全文.

WO02/103767A1,2002.12.27,全文.

US4908678,1990.03.13,说明书第1栏第67行-第2栏第68行，第3栏第39-43行、附图1A-1D.

JP昭61-27681A,1986.02.07,说明书第2页左上栏第1行-第3页左上栏第5行、附图1-6.

R.Tsu.Phenomenainsilicon

nanostructuredevices.APPLIEDPHYSICSAMATERIALSSCIENCEANDPROCESSING71

4.2000,71(4),391-402.

XuanLuo,S.B.Zhang,Su-HuaiWei.

ChemicalDesignofDirect-GapLight-

EmittingSilicon.PHYSICALREVIEWLETTERS897.2002,89(7),1-4.

审查员闫立刚

权利要求书2页说明书8页附图8页

(54)发明名称

制作包括能带工程超晶格的半导体装置的方法

(57)摘要

CN1813354B一种用于通过形成超晶格而制造半导体装置的方法，该超晶格包括多个堆叠层组。所述方法也可包括形成用于引起载流子在相对堆叠层组平行的方向上输运通过超晶格的区域。超晶格的每个组可包括多个堆叠的基半导体单层，其限定基半导体部分和其上的能带修饰层。能带修饰层可包括至少一个非半导体单层，其限制在邻近基半导体部分的晶格内，以便超晶格在平行方向上载流

CN1813354B

CN1813354B权利要求书1/2页

2

1.一种用于制造半导体装置的方法，其包括：

形成超晶格，超晶格包括多个堆叠的层组；和

形成用于引起电荷载流子在相对所述堆叠的层组平行的方向上输运通过所述超晶格的区域；

所述超晶格的每个层组包括多个堆叠的基半导体原子层，其限定基半导体部分和其上的能带修饰层；

所述能带修饰层包括至少一个非半导体原子层，其被限制在邻近基半导体部分的晶格内，使得所述超晶格在平行方向上具有比其它情形增强的电荷载流子迁移率，其中所述增强的电荷载流子迁移率源自电荷载流子在平行方向上比其它情形更低的电导有效质量；

其中非半导体原子层中不是所有可能的用于非半导体原子的点都被非半导体原子占据。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述超晶格的能带始终相对一致。

3.如权利要求1所述的方法，其中具有更高迁移率的所述电荷载流子包括至少电子和空穴中的一种。

4.如权利要求1所述的方法，其中每个基半导体部分包括硅。

5.如权利要求1所述的方法，其中每个能带修饰层包括氧。

6.如权利要求1所述的方法，其中每个能带修饰层为单个原子层厚度。

7.如权利要求1所