CN1818798B 在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的方法和装置 （浙江大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN1818798B

(45)授权公告日2011.09.07

(21)申请号200610049850.6

(22)申请日2006.03.15

(73)专利权人浙江大学

地址310027浙江省杭州市西湖区浙大路

38号

(72)发明人佘俊敖献煜何赛灵

(74)专利代理机构杭州求是专利事务所有限公

司33200代理人张法高

(51)Int.CI.

GO3F7/20(2006.01)

HO1L33/00(2006.01)

HO1L21/027(2006.01)

US2005/0082545A1,2005.04.21,全文.US2005/0205883A1,2005.09.22,全文.CN1688032A,2005.10.26,全文.

罗雁横等.光子晶体微腔发光二极管.纳米器件与技术2.2006,(2),80-84.

审查员尉小霞

(56)对比文件

US5955749A,1999.09.21,全文.

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的方法和装置

(57)摘要

CN1818798B本发明涉及一种利用激光多光束干涉技术在发光二极管上制作二维光子晶体覆层掩膜的优化设计方法和装置。本发明的方法是将一束激光经过空间滤波、扩束和准直后，再分成三束，然后由反射镜将三束激光会聚到发光二极管芯片表面的光刻胶掩膜层上，调整各束激光的入射角度、强度和偏振态，形成设定的二维干涉图样，经过曝光、显影后得到二维的光子晶体掩膜。实现该方法的装置包括沿光轴设置的激光器、扩束滤波器、准直透镜和分束器，对应每束激光设有反射镜，沿着通过分束器后的各束激光的光轴，放置有偏振衰减控制器。本发明所用的装置简单、灵活度高、成本

CN1818798B

CN1818798B权利要求书1/1页

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1.在发光二极管上制作光子晶体掩膜层的方法，其特征在于将一束激光经过空间滤波、扩束和准直后，再分成三束，然后由反射镜将三束激光会聚到发光二极管芯片表面的光刻胶掩膜层上，根据设定的干涉图样的晶格点阵分别调整各束激光的入射角度，根据设定的干涉图样的对比度和各个单元的光斑图样分别调整各束激光的强度和偏振态，形成设定的二维干涉图样，经过曝光、显影后得到二维的光子晶体掩膜；

所述的调整各束激光的入射角度是根据预先设计好的二维光子晶体的晶格图样，根据公式(1)调整每束激光的极角θ和激光束的方位角φ,其中m=1,2,3

Φ?=2x-Φ?(1)Φ?=-2

其中，a,b是二维光子晶体的晶格常数，x是晶格基矢之间的夹角；极角和方位角决定

了非共面的三束激光的波矢，

(2)km=2π/λ(cospmsinθ,sinφmsinθ,cosθ),其中m=1,2,3三束光干涉后的光强分布为：

(2)

(3)I。(F)=co+C??cos(G??·P)+C??cos(G??·F)+C??cos(G?)其中，

(3)

Gm=(k-k)

cm=E,·E1≤1≤m≤3

c。=|E2+E22+E

其中，E?、E?、E?表示三束光的强度与偏振态；

所述调整各束激光的强度和偏振态是根据预先设计好的光子晶体的单元图样和公式(3)式，确定Cm;由c?m的值来决定为获得所要求的结构的光束参数E,即光束的强度与偏振态，其中1=1,2,3;在c。最小时对比度V=(Imax-Imin)/(Imax+Imin)最大，其中Imax为最大光强、Imin为最小光强，

(4)

c。在约束条件E·K,=0,1=1,2,3和E,·E=cm,1≤l≤m≤3下最小。

2.采用权利要求1方法所使用的装置，其特征在于沿光轴依次设置的激光器、扩束滤波器、准直透镜和分束器，对应经过分束器后的三束激光位置分别设置有反射镜，沿着通过分束器后的各束激光的光轴，放置有偏振衰减控制器。

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