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半导体面试笔试题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.本征半导体中，自由电子和空穴的数量关系是（）

A.自由电子多B.空穴多C.相等D.不确定

2.N型半导体中的多数载流子是（）

A.自由电子B.空穴C.离子D.质子

3.半导体二极管的正向导通条件是（）

A.阳极电位高于阴极电位B.阳极电位低于阴极电位

C.阳极和阴极电位相等D.与电位无关

4.三极管处于放大状态时，发射结和集电结的偏置情况是（）

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏

5.场效应管是（）控制型器件。

A.电流B.电压C.电阻D.电容

6.下列哪种半导体材料最常用（）

A.硅B.锗C.砷化镓D.磷化铟

7.半导体中载流子的运动方式不包括（）

A.扩散B.漂移C.跃迁D.振动

8.稳压二极管正常工作在（）

A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区D.死区

9.集成运算放大器的输入级通常采用（）

A.共射放大电路B.共集放大电路C.差分放大电路D.功率放大电路

10.数字电路中，高电平用（）表示。

A.0B.1C.-1D.2

多项选择题（每题2分，共10题）

1.以下属于半导体特性的有（）

A.热敏性B.光敏性C.掺杂特性D.超导性

2.三极管的三个电极分别是（）

A.基极B.发射极C.集电极D.栅极

3.半导体二极管的主要参数有（）

A.最大整流电流B.最高反向工作电压C.反向电流D.导通压降

4.场效应管的类型有（）

A.N沟道增强型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.P沟道耗尽型

5.下列属于数字逻辑门电路的有（）

A.与门B.或门C.非门D.与非门

6.集成运算放大器的性能特点包括（）

A.高增益B.高输入电阻C.低输出电阻D.共模抑制比高

7.半导体制造工艺包含（）

A.光刻B.蚀刻C.掺杂D.封装

8.半导体存储器分为（）

A.随机存取存储器（RAM）B.只读存储器（ROM）

C.高速缓冲存储器（Cache）D.闪存（FlashMemory）

9.以下能影响半导体器件性能的因素有（）

A.温度B.湿度C.光照D.磁场

10.常用的半导体测试设备有（）

A.示波器B.万用表C.逻辑分析仪D.频谱分析仪

判断题（每题2分，共10题）

1.本征半导体在绝对零度时没有载流子。（）

2.P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）

3.二极管只要加正向电压就一定导通。（）

4.三极管的电流放大倍数只与三极管本身有关，与外界电路无关。（）

5.场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻小。（）

6.数字电路中，与门的输入全为1时，输出为0。（）

7.集成运算放大器工作在线性区时，具有虚短和虚断的特性。（）

8.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。（）

9.光刻技术的精度对半导体器件的性能没有影响。（）

10.半导体材料的电阻率随温度升高而增大。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述半导体二极管的单向导电性。

答案：二极管正向偏置时，外电场与内电场方向相反，削弱内电场，多子扩散运动加强，形成较大正向电流，二极管导通；反向偏置时，外电场与内电场方向相同，增强内电场，多子扩散受阻，只有少数载流子形成微小反向电流，二极管截止，表现出单向导电性。

2.说明三极管放大电路的组成原则。

答案：要有合适的直流电源，为三极管各极提供合适偏置电压；输入信号能有效加到三极管的输入回路；输出信号能有效从三极管输出回路取出；合理设置电路参数，保证三极管工作在放大区。

3.简述场效应管和三极管的主要区别。

答案：场效应管是电压控制型器件，输入电阻高；三极管是电流控制型器件，输入电阻低。场效应管靠多数载流子导电，三极管靠两种载流子导电。场效应管热稳定性好，三极管受温度影响大。

4.简述数字电路与模拟电路的主要区别。

答案：模拟电路处理的是连续变化的模拟信号，注重信号的大小、相位等；数字电路处理的是离散的数字信号，用0和1表示，注重逻辑关系，工作在开关状态，抗干扰能力强。

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