CN1988186A 发光二极管及其制作方法 （群康科技(深圳)有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

HO1L33/00(2006.01)

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200510121040.2

[43]公开日2007年6月27日[11]公开号CN1988186A

[22]申请日2005.12.21

[21]申请号200510121040.2

[71]申请人群康科技(深圳)有限公司

地址518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层

共同申请人群创光电股份有限公司

[72]发明人颜硕廷

权利要求书2页说明书6页附图3页

[54]发明名称

发光二极管及其制作方法

[57]摘要

一种发光二极管，其包括一透明基板、一形成在该透明基板上的阳极电极、一形成在该阳极电极上的绝缘层、一形成在该绝缘层上的阴极电极。该发光二极管进一步包括多个形成在该绝缘层中的碳化硅合金纳米点。本发明还提供一种制作该发光二极管的方法。

200510121040.2权利要求书第1/2页

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1.一发光二极管，其包括：一透明基板；一形成在该透明基板上的阳极电极；一形成在该阳极电极上的绝缘层；一形成在该绝缘层上的阴极电极；其特征在于：其进一步包括多个形成在该绝缘层中的碳化硅合金纳米点。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该碳化硅合金纳米点为硅纳米点和碳化硅纳米点混合而成。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该绝缘层为氮化硅；该透明基板为玻璃或树脂；该阳极电极为氧化铟锡或氧化铟锌；该阴极电极为氟化锂和铝的合金、钡、钙和铝的合金之一。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该碳化硅合金纳米点的直径为5nm至50nm,该绝缘层的厚度为60nm至150nm。

5.一种制作发光二极管的方法，其包括以下步骤：a.在一透明基板上形成一阳极电极，并形成该阳极电极图案；b.在该阳极电极上形成一第一绝缘层；c.在该第一绝缘层上形成一层硅纳米点；d.在该层硅纳米点上形成一层碳化硅纳米点；e.进行热处理，使该硅纳米点和该碳化硅纳米点扩散成均匀混和的一层碳化硅合金纳米点；f.在该层碳化硅合金纳米点上形成一第二绝缘层；g.在该第二绝缘层上形成一阴极电极，并形成该阴极电极图案。

6.如权利要求5所述的制作发光二极管的方法，其特征在于：步骤e可在步骤f之后进行。

7.如权利要求5所述的制作发光二极管的方法，其特征在于：重复实施步骤c、d、e、f,可制得具有多层碳化硅合金纳米点的发光二极管。

8.如权利要求5所述的制作发光二极管的方法，其特征在于：在步骤d中控制碳、硅成份比，当硅成份多于碳成份时，发光二极管发出的光红移，当碳成份多于硅成份时，发光二极管发出的光蓝

移。

9.如权利要求5所述的制作发光二极管的方法，其特征在于：步骤e,在高真空度下或惰性气体环境中加热至500℃并维持一段时

200510121040.2权利要求书第2/2页

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间，该硅纳米点和该碳化硅纳米点扩散成均匀混和的碳化硅合金纳米点。

200510121040.2说明书第1/6页

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发光二极管及其制作方法

【技术领域】

本发明是关于一种发光二极管及其制作方法。

【背景技术】

近年来光电产业发达，发光二极管(LightEmittingDiode,LED)由于具有体积小、能耗低、高亮度、寿命长及发光稳定等优点，已广泛应用在显示装置及光读写装置中。

在发光二极管的制作上，由于化合物半导体为直接能隙半导体(DirectSemiconductor),具有较佳的发光效率，因此目前主要还是以化合物半导体为主。然，化合物半导体明显比IV族半导体(C,Si,Ge)成本高出许多，因此业界都在研究如何利用IV族半导体制作发光