CN1988115A 可编程器件的制作方法 （上海华虹Nec电子有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200510111689.6

[51]Int.Cl.

HO1L21/336(2006.01)

HO1L21/265(2006.01)

[43]公开日2007年6月27日[11]公开号CN1988115A

[22]申请日2005.12.20

[21]申请号200510111689.6

[71]申请人上海华虹NEC电子有限公司

地址201206上海市浦东新区川桥路1188号[72]发明人徐向明龚顺强姚泽强

[74]专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁

权利要求书1页说明书3页附图1页

[54]发明名称

可编程器件的制作方法

[57]摘要

本发明公开了一种可编程器件的制作方法，对可编程器件中的电容型晶体管侧的有源区在栅氧形成之前预埋注入特定的杂质。本发明通过在栅氧形成之前进行预埋注入，仅增加一步注入工艺步骤即可以在电容侧有源区形成相对晶体管侧的栅极氧化膜更厚的氧化膜，不仅在提高电容型晶体管的耦合效率的同时大大提高数据保存时间等可靠性方面的效果，更可以大幅降低生产成本。本发明适用于可编程器件的制作工艺。

200510111689.6权利要求书第1/1页

2

1.一种可编程器件的制作方法，其特征在于，对可编程器件中的电容型晶体管侧的有源区在栅氧形成之前预埋注入特定的杂质。

2.根据权利要求1所述的可编程器件的制作方法，其特征在于，在电容侧的有源区预埋注入特定的杂质为砷。

200510111689.6说明书第1/3页

3

可编程器件的制作方法

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路及分离元器件的制作领域，尤其是一种可编程器件的制作方法。

背景技术

在Single-PolyOTPDevice(单层多晶硅一次可编程器件)设计中，如何提高电容型晶体管的耦合效率对于提高器件的编程效率与效果，是涉及器件开发成败的关键因素。现有技术中Single-PolyOTP器件，均在电容型晶体管侧采用N+/NWell,P+/PWell的结构，或在多晶硅下做一层阻挡层的形式来实现。《ASinglePolyEEPROMCellStructureforUseinStandardCMOSProcesses》(IEEEJOURNALOFSOLID-STATECIRCUITS,VOL.24,NO.4,AUGUST1989)、《CellandCircuitDesignforSingle-PolyEPROM》(IEEEJOURNALOFSOLID-STATECIRCUITS,VOL.29,NO.3,march,1994)等文献都介绍了这种结构的OTP器件。

图1为已有技术中可编程器件结构示意图。如图1所示，在已有技术中，一般直接利用CMOS晶体管的氧化膜作为存储器器件可编程中浮栅与衬底之间的介质层，如果该氧化膜的厚度不能满足要求则需要追加氧化和相应的刻蚀等工艺。这直接增加工艺步骤和工艺集成的复杂度，提高生产成本。

发明内容

200510111689.6说明书第2/3页

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本发明所要解决的技术问题是提供一种可编程器件的制作方法，仅增加一步注入工艺，就能够制作比已有技术具有更好的编程效率与效果的可编程器件，并且可以降低工艺成本。

为解决上述技术问题，本发明一种可编程器件的制作方法的技术方案是，对可编程器件中的电容型晶体管侧的有源区在栅氧形成之前预埋注入特定的杂质。

本发明通过在栅氧形成之前预埋注入特定的杂质，仅增加一步注入工艺步骤即可以在电容侧有源区形成相对晶体管侧的栅极氧化膜更厚的氧化膜，不仅在提高电容型晶体管的耦合效率的同时大大提高数据保存时间等可靠性方面的效果，更可以大幅降低生产成本。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述：

图1为已有技术的可编程器件结构示