CN1992196A 修改制作电路的方法 （宜特科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

HO1L21/768(2006.01)

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200510097138.9

[43]公开日2007年7月4日[11]公开号CN1992196A

[22]申请日2005.12.30

[21]申请号200510097138.9

[71]申请人宜特科技股份有限公司地址台湾省新竹市

[72]发明人余维斌廖永顺廖兴盛

[74]专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人党晓林

权利要求书2页说明书6页附图9页

[54]发明名称

修改制作电路的方法

[57]摘要

本发明有关于一种修改制作电路的方法，主要是于基材〔例如：集成电路〕上选择欲相连接的数个目标电极，运用聚焦离子束〔Focusedionbeam;FIB)或激光将目标电极上各种半导体制程使用的材料〔如：导电层、半导体层、绝缘层等〕去除，形成接触孔洞，露出目标电极，再利用聚焦离子束或激光伴随化学气相沉积〔deposition〕的方式于接触孔洞中形成导电桥墩〔pier〕,再放置导电黏稠材料于各导电桥墩之上，以能于各导电桥墩之间利用该导电黏稠材料连接导电桥面(floorofabridge;如：以导电黏稠材料直接形成该导电桥面、或金属线、或电子元件等任何导电物体),既可获得低电阻的导电桥面，或可以增加电子元件于既有电路中，以进行修改制作电路的方法。

200510097138.9权利要求书第1/2页

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1.一种修改制作电路的方法，包括：

(a)提供一基材，该基材内包含有复数个电极；

(b)选取欲连接的数电极；

(c)于该基材上通过聚焦离子束对应所选取的电极挖开半导体制程各层材料形成接触孔洞以露出该电极；

(d)通过该聚焦离子束配合喷嘴所喷出的各种气体分子以沉积各种材质

填入该接触孔洞而形成导电桥墩；其特征在于：

(e)放置导电黏稠材料于各导电桥墩之上，以利用该导电黏稠材料于导电桥墩之间连接导电桥面，即形成导通的导电桥。

2.如权利要求1所述的修改制作电路的方法，其特征在于：该基材为集成电路。

3.如权利要求1所述的修改制作电路的方法，其特征在于：该基材为印刷电路板。

4.如权利要求1所述的修改制作电路的方法，其特征在于：在(c)与(d)步骤间含括下列步骤：

(c-1)在每一接触孔洞的内壁上形成有绝缘部。

5.如权利要求1所述的修改制作电路的方法，其特征在于：该导电黏稠材料为导电胶。

6.如权利要求1所述的修改制作电路的方法，其特征在于：该导电桥面由复数个球状导电黏稠材料形成。

7.如权利要求1所述的修改制作电路的方法，其特征在于：该导电桥面为金属线。

8.如权利要求1所述的修改制作电路的方法，其特征在于：该导电桥面由复数个球状导电黏稠材料与电子元件连接组成。

9.如权利要求1所述的修改制作电路的方法，其特征在于：该导电桥面

200510097138.9权利要求书第2/2页

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为至少一条金属线与电子元件连接组成。

10.如权利要求1所述的修改制作电路的方法，其特征在于：该导电桥墩一侧另行延伸有导电桥墩延伸段，该导电桥墩延伸段与导电桥墩为相同导电材质以供导电黏稠材料连接导电桥面。

11.如权利要求1所述的修改制作电路的方法，其特征在于：该导电桥面下放置有绝缘材料。

12.如权利要求11所述的修改制作电路的方法，其特征在于：该喷嘴所喷出的绝缘材质为绝缘胶。

13.一种修改制作电路的方法，包括：

(a)提供一基材，该基材内包含有复数个电极；

(b)选取欲连接的数电极；

(c)于该基材上通过激光束对应所选取的电极挖开半导体制程各层材料形成接触孔洞以露出该电极；

(d)通过该激光束配合喷嘴所喷出的各种气体分子以沉积各种材质填入该接触孔洞而形成导电桥墩；其特征在于：

(e)放置导电黏稠材料于各导电桥墩之上，以利用该导电黏稠材料于导电桥墩之间连接导电桥面，即形成导通的导电桥。

14.如权利要求13所述的修改制作电路的方法，其特征在于：该基材为集成电路。

15.如权利要求13所述