CN1996634B 碳纳米管相变存储器的制作方法 （韩国科学技术院）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN1996634B

(45)授权公告日2010.10.13

(21)申请号200610168098.7

(22)申请日2006.12.25

(30)优先权数据

10-2006-00013362006.01.05KR

(73)专利权人韩国科学技术院

地址韩国大田广域市儒城区九城洞373番地1号

(72)发明人崔梁圭金局奂

(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205

代理人臧建明

CN1542920A,2004.11.03,全文.

US2003/0209746A1,2003.11.13,全文.审查员韩颖姝

权利要求书2页说明书8页附图4页

(51)Int.CI.

HO1L

HO1L

45/00(2006.01)

27/24(2006.01)

(56)对比文件

US2004/0166604A1,2004.08.26,全文.

US2004/0251551A1,2004.12.16,说明书第36-38,42,52-62段、附图1,4-7.

(54)发明名称

碳纳米管相变存储器的制作方法

(57)摘要

CN1996634B本发明在于提供一种通过减少相变材料与底电极的接触区域，从而使相变存储器能够在低功率下工作并能提高综合等级的碳纳米管相变存储器及其制造方法。该相变存储器包含一电源电极，一相变材料层，一复式碳纳米管电极，及一绝缘层。该相变材料层与电源电极侧向相对；该碳纳米管电极置于电源电极及相变材料层之间；该绝

CN1996634B

CN1996634B权利要求书1/2页

2

1.一种碳纳米管相变存储器的制造方法，其特征在于：它包含：

在为目标提供外部电流的电源电极之预定位置放置催化剂，以形成多个碳纳米管；

用催化剂作为基体在垂直方向上生长碳纳米管，以形成碳纳米管电极；

以覆盖碳纳米管电极的方式在电源电极之上沉积一绝缘层；

打磨绝缘层至其与碳纳米管电极齐平，以形成与所述碳纳米管电极齐平的平面化绝缘层；

在平面化绝缘层之上制成一相变材料层与碳纳米管电极相连，所述平面化绝缘层与所述碳纳米管电极齐平。

2根据权利要求1所述的一种碳纳米管相变存储器的制造方法，其特征在于：该在为目标提供外部电流的电源电极之预定位置放置的催化剂，可为含三氧化二铁、铂、钴、镍、钛、钼的组群以及他们的化合物中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种碳纳米管相变存储器的制造方法，其特征在于：该用催化剂作为基体在垂直方向上生长碳纳米管，形成碳纳米管电极的方法包括以单墙式的方式来制成。

4.根据权利要求1所述的一种碳纳米管相变存储器的制造方法，其特征在于：该用催化剂作为基体在垂直方向上生长碳纳米管，形成碳纳米管电极的方法包括各个碳纳米管电极的直径范围在1纳米至100纳米之间。

5.一种碳纳米管相变存储器的制造方法，其特征在于：它包含：

在为目标提供外部电流的电源电极之预定位置放置催化剂，以形成多个碳纳米管；

用催化剂作为基体在垂直方向上生长碳纳米管，以形成碳纳米管电极；

以覆盖碳纳米管电极的方式在电源电极之上沉积一绝缘层；

打磨绝缘层至其与碳纳米管电极齐平；

选择地蚀刻平面化绝缘层使碳纳米管电极充分地暴露在与绝缘材料层相同的层面上并突出；

在被蚀刻的绝缘层上制成一相变材料层，以使该碳纳米管电极与该相变材料层交叠。

6.根据权利要求5所述的一种碳纳米管相变存储器的制造方法，其特征在于：该在为目标提供外部电流的电源电极之预定位置放置的催化剂，可为含三氧化二铁、铂、钴、镍、钛、钼的组群以及他们的化合物中的一种。

7.根据权利要求5所述的一种碳纳米管相变存储器的制造方法，其特征在于：该用催化剂作为基体在垂直方向上生长碳纳米管，形成碳纳米管电极的方法包括以单墙式的方式来制成。

8.根据权利要求5所述的一种碳纳米管相变存储器的制造方法，其特征在于：该用催化剂作为基体在垂直方向上生长碳纳米管，形成碳纳米管电极的方法包括各个碳纳米管电极的直径范围在1纳米至100纳米之间。

9.根据权利要求5所述的一种碳纳米管相变存储器的制造方法，其特征在于：选择地蚀刻平面化绝缘层以使暴露碳纳米管电极突出的方法，包括蚀刻平面化绝缘层以使碳纳米管电极突出的长度范围在占碳纳米管电极总长度的1/10至8/10之间。

10.一种碳纳米管相变存