CN100468637C 化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明

专利号ZL200710018147.3

[45]授权公告日2009年3月11日

[51]Int.Cl.

HO1L21/28(2006.01)

HO1L21/768(2006.01)

书

[11]授权公告号CN100468637C

[22]申请日2007.6.28

[21]申请号200710018147.3

[73]专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白路2号

[72]发明人郝跃林若兵冯倩王冲

[56]参考文献

CN1641837A2005.7.20CN1466189A2004.1.7

US5686743A1997.11.11

US2003/0222728A12003.12.4

CN1446377A2003.10.1

基于自对准和空气桥工艺的SiGeHBT研究.刘道广，郝跃等.西安电子科技大学学报(自然科学版),第32卷第3期.2005

审查员刘国梁

[74]专利代理机构陕西电子工业专利中心代理人王品华黎汉华

权利要求书2页说明书11页附图2页

[54]发明名称

化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法

[57]摘要

本发明公开了一种化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法。主要解决现有技术制作空气桥拱形高度低，宽度窄，器件可靠性差的问题。其工艺过程是：在基片上分别涂前烘温度不同的剥离胶和光刻胶，并光刻出桥区及电极的区域，形成牺牲层；再将涂有两种胶的基片用135℃-145℃的低温烘烤15-25min,使桥区的牺牲层成为拱形结构；接着在牺牲层上淀积一层80nm-100nm起镀层，并在起镀层上涂光刻胶，再光刻出桥区及电极区域；接着在无氰化物电镀液中，利用电镀工艺，在光刻出的桥区及电极区域电镀一层Au;最后依次去除掩膜光刻胶、去除起镀层的Au和Ti、去除牺牲层，得到拱形空气桥。本发明具有拱形高度高，宽度宽，器件可靠性好的优点。

200710018147.3权利要求书第1/2页

2

1.一种化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法，包括如下过程：

在Si或者GaN基片上涂前烘温度为160℃的高温剥离胶，再涂前烘温度为85℃的光刻胶，并在其中间位置光刻出桥区(6)及桥区两边的电极区域(3),使该桥区

(6)形成牺牲层；

将涂有所述两种胶的基片放在烘箱中进行烘烤，使桥区的牺牲层成为表面光滑整齐的完整拱形结构，烘烤温度：135℃-145℃的低温，烘烤时间：15—25min;

在牺牲层上淀积一层80nm-100nm起镀层(4);

在起镀层(4)上涂光刻胶并光刻出桥区及电极区域；

在无氰化物电镀液中，利用电镀工艺，在光刻出的桥区及电极区域电镀一层Au,形成金属层(5);

利用泛曝光工艺去除非电镀区域(8)上的光刻胶，用腐蚀工艺去除起镀层(4),用去剥离胶溶液去除桥区(6)的牺牲层，得到拱形空气桥。

2.根据权利要求1所述的空气桥制作方法，其特征在于剥离胶采用LOR5A型号，光刻胶采用EPI622型号，且剥离胶和光刻胶的厚度比例为2:3~5:5。

3.根据权利要求1所述的空气桥制作方法，其特征在于牺牲层的总厚度至少为2μ

m。

4.根据权利要求1所述的空气桥制作方法，其特征在于起镀层为5nm的Ti薄层加上75nm-95nm的Au薄层。

5.一种化合物半导体微波大功率器件中的空气桥制作方法，包括如下过程：

在制作完源、漏接触和肖特基接触后的GaNHEMTs器件上，先涂上前烘温度为

160℃的高温剥离胶，再涂前烘温度为85℃的光刻胶，并在中间位置光刻出桥区(6)及桥区两边的电极区域(3),使该桥区(6)形成牺牲层；

将涂有所述两种胶的基片放在烘箱中进行烘烤，使桥区的牺牲层成为表面光滑整齐的完整拱形结构，烘烤温度：135℃-145℃的低温，烘烤时间：15-25min;

在牺牲层上淀积一层80nm-100nm起镀层(4);

在起镀层(4)上涂光刻胶并光刻出桥区及电极区域；

200710018147.3权利要求书第2/2页

3

在无氰化物电镀液中，利用电镀工艺，在光刻出的桥区及电极区域电镀一层Au形成金属层(5);

在电镀Au后的电镀层面即金属