CN100468784C 一种PIN结构TiO2基紫外探测器及其制作方法 （大连海事大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明书

专利号ZL200710011204.5

[51]Int.Cl.

H01L31/105(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

[45]授权公告日2009年3月11日[11]授权公告号CN100468784C

[22]申请日2007.4.29

[21]申请号200710011204.5

[73]专利权人大连海事大学

地址116026辽宁省大连市甘井子区凌海路1号

[72]发明人曹望和付姚罗昔贤

[56]参考文献

CN1747184A2006.3.15CN1828950A2006.9.6

用于紫外光传感器的透明纳米TiO2薄膜的制备.付姚，曹望和.科学通报，第51卷第8

期.2006

审查员刘国梁

[74]专利代理机构大连八方知识产权代理有限公司

代理人卫茂才

权利要求书2页说明书8页附图2页

[54]发明名称

一种PIN结构TiO?基紫外探测器及其制作方法

[57]摘要

本发明涉及一种用于紫外光探测的PIN结构的TiO?基紫外光探测器及其制作方法。紫外光探测器包括导电基底、N型半导体接触层、本征TiO?有源层、P型宽带隙半导体接触层。制作紫外光探测器包括下列步骤：在预处理后的导电基底上制备N型接触层；在N型接触层上制备本征TiO?有源层；采用干法刻蚀技术对有源层四周进行部分刻蚀；在有源层的刻蚀部分制备P型接触层；在P型接触层上制作P型欧姆电极；在导电基底上制作N型欧姆电极；本发明具有外量子效率和灵敏度高、响应速度快、暗电流小、体积小巧，成本低廉，而且使用寿命长，等诸多优点。薄膜制备工艺简便成熟。可防止除紫外光以外的其它光源的干扰。

200710011204.5权利要求书第1/2页

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1、一种pin结构的TiO?基紫外光探测器，其特征在于，包括导电基底(1),位于导电基底(1)上的N型接触层(2),位于N型接触层(2)上的作为紫外光吸收层的本征TiO?有源层(3),位于本征TiO?有源层(3)上的P型接触层(4),至少一个位于P型接触层(4)上的P型欧姆电极(5)和至少一个位于导电基底(1)上的N型欧姆电极(6)。

2、根据权利要求1所述的一种pin结构的TiO?基紫外光探测器，其特征在于，所述的导电基底(1)为ITO导电玻璃或FTO导电玻璃，厚度为0.1-2mm。

3、根据权利要求1所述的一种pin结构的TiO?基紫外光探测器，其特征在于，所述的N型接触层(2)为N型TiO?、N型NiO、N型ZnO、N型SnO?或N型SiO?材料中的一种，厚度为0.5-10μm,电子浓度大于1×101?cm?3,并且N型接触层(2)的面积小于导电基底(1)的面积。

4、根据权利要求1所述的一种pin结构的TiO?基紫外光探测器，其特征在于，所述的本征TiO?有源层(3)为TiO?纳米管薄膜或纳米多晶颗粒薄膜或单晶薄膜材料，中心厚度0.1-10μm,有源层(3)的边缘经刻蚀后形成的台阶宽度为1-5mm,厚度为0.05-1μm。

5、根据权利要求1所述的一种pin结构的TiO?基紫外光探测器，其特征在于，所述的P型接触层(4)为P型NiO、P型ZnO、P型SnO?或P型TiO?材料中的一种，厚度为0.05-1μm,自由载流子浓度小于1×101?cm3。

6、根据权利要求1所述的一种pin结构的TiO?基紫外光探测器，其特征在于，所述的P型欧姆电极(5)和N型欧姆电极(6)为点状结构或环形结构或曲线结构，由Au或Pd或Pt或Ni或A1制得，厚度为0.1-5μm。

7、根据权利要求1所述的一种pin结构的TiO?基紫外光探测器，其特征在于，所述的探测器具有探测区域，该探测区域具有至少一个子区域暴露于P型欧姆电极(5)之外。

8、制备权利要求1所述的一种pin结构的TiO?基紫外光探测器的方法，其特征在于，制备步骤包括：对导电基底(1)进行预处理；在导电基底(1)上制备N型接触层(2),该N型接触层(2)的面积小于导电基底(1)面积；在N型接触层(2)上制备本征TiO?有源层(3);