CN100431132C 一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法 （上海理工大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明书

专利号ZL200610025284.5

[51]Int.Cl.

HO1L21/762(2006.01)

HO1L21/84(2006.01)

HO1L21/20(2006.01)

[45]授权公告日2008年11月5日[11]授权公告号CN100431132C

[22]申请日2006.3.30

[21]申请号200610025284.5

[73]专利权人上海理工大学

地址200093上海市杨浦区军工路516号

[72]发明人张轩雄茹国平

[56]参考文献

CN1500288A2004.5.26

US6972247B22005.12.6审查员王毅冰

[74]专利代理机构上海申汇专利代理有限公司代理人吴宝根

权利要求书1页说明书7页附图2页

[54]发明名称

一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法

[57]摘要

17本发明公开了一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法，它通过致密光滑的非晶硅沉积技术、低温键合技术、非晶硅到微晶硅的不可逆相变控制以及微晶硅的内氧化技术的巧妙组合，避免了现有SSOI材料制备中昂贵的锗硅外延和化学机械抛光工艺，而且完全不需要像SGOI材料制作后要求后续的CMOS工艺修改等考虑，实现一种全新的SSOI材料的制作，同时达到降低SSOI的制作成本

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目标。

200610025284.5权利要求书第1/1页

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1、一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法，其特征在于，它包括以下步骤：

1)在顶层硅厚度为10-20纳米，埋层氧化物的厚度3000~4000A的超薄SOI硅片的顶层硅上用低压化学气相沉积生长一层厚度为90-110纳米的致密光滑的非晶硅；

2)再将另一硅片热氧化生长一层190-210纳米的氧化硅；

3)用步骤1所得沉积有非晶硅的超薄SOI硅片与用步骤2所得热生长氧化硅的硅片在400℃℃下低温键合；

4)将键合后的硅片再用机械和化学腐蚀减薄至SOI硅片的埋层氧化硅终止；

5)再将腐蚀后的键合硅片在600℃以上的高温下保温，使非晶硅相变为微晶硅；

6)再升高温度至800℃~1150℃保温，使在低温下没有完成的键合反应继续，此时放出的反应产物水与步骤5)相变得到的微晶硅反应生成氧化硅，使微晶硅完全氧化后成为制作的SSOI材料的氧化物埋层一部分；

7)经冷却后将SOI硅片中的氧化物腐蚀去除，完成了绝缘体上应变硅的制作。

200610025284.5说明书第1/7页

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一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的制作方法

技术领域

本发明涉及应变硅的制作技术，特别是利用不可逆相变的方法实现绝缘体上应变硅的制作。

背景技术

应变硅具有高的载流子迁移率已经得到证实。如将应变硅技术引入绝缘体上的硅(Silicononinsulator,SOI)中的顶层硅能使本已优越的SOI互补金属氧化物半导体(CMOS)电路获得更加优越的性能。因此，制备带有绝缘埋层的应变硅能够结合SOI与应变硅的优势于一体，成为将来理想的硅基微电子材料，由此也成为目前国际上的一个热门研究课题。目前虽有人用氧注入隔离(separation-by-implanted-oxygen,SIMOX)技术制备了在带有绝缘层的锗硅层上的应变硅(strained-silicon-on-SiGe-on-insulator,SGOI),但由于埋层氧化物形成需要高的退火温度，导致锗(Ge)的扩散，使作为应变模版的锗硅(SiGe)层的作用大大降低。利用类似SOI制备技术中的智能切割(Smart-Cut)亦即层转移技术制备了SGOI材料，但由于应变硅层下的锗硅层存在，迫使对CMOS工艺做出相应的改变，以尽可能排除锗硅层带来的不利影响。因此制备应变硅直接在绝缘体上的研究成为理想硅基微电子材料的重要研究目标。为此，通常人们采用带氧化硅与在锗硅上外延应变硅层直接键合，再用

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