CN100477296C 制作541纳米窄带通光电探测器的方法 （郭辉）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明专利号ZL200610032374.7

[45]授权公告日2009年4月8日

[51]Int.Cl.

HO1L31/18(2006.01)

书

[11]授权公告号CN100477296C

[22]申请日2006.10.9

[21]申请号200610032374.7

[73]专利权人郭辉

地址102208北京市昌平区回龙观流星花园2区5栋7门202室

共同专利权人江建国

[72]发明人郭辉江建国黄建明

[56]参考文献

US5852322A1998.12.22CN2578985Y2003.10.8CN1555099A2004.12.15

审查员罗崇举

[74]专利代理机构长沙市融智专利事务所代理人颜昌伟

权利要求书2页说明书7页附图3页

[54]发明名称

制作541纳米窄带通光电探测器的方法

[57]摘要

本发明公开了一种制作541纳米窄带通光电探测器的方法，包括以下步骤：将N型硅片外延片衬底送入氧化炉生长氧化层；注入硼离子；将硅片送入LPCVD炉中生长Si?N?层；光刻P区引线孔和压焊点窗口；蒸铝；铝反刻；合金；背面减薄蒸金；合金；划片；制作带ITO薄膜541纳米峰值波长窄带通滤光片；将带导电ITO薄膜