CN100477186C 高频集成电路微系统组件及其制作方法 （她瑞雅·宇和娜）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明书专利号ZL4

[51]Int.Cl.

HO1L23/48(2006.01)

HO1L23/52(2006.01)B81C1/00(2006.01)

[45]授权公告日2009年4月8日[11]授权公告号CN100477186C

[22]申请日2002.4.8[21]申请4

[30]优先权

[32]2001.4.6[33]US[31]60/282,226

[32]2001.5.4[33]US[31]60/288,697

[86]国际申请PCT/FI2002/0002972002.4.8

[87]国际公布WO2002/082537英2002.10.17

[85]进入国家阶段日期2003.10.8

[73]专利权人她瑞雅·宇和娜

地址芬兰卡瑞铁8号凯波拉

[72]发明人她瑞雅·宇和娜

[56]参考文献

JP2000243895A2000.9.8US5913134A1999.6.15

CN1208959A1999.2.24US6172412B12001.1.9

审查员杨永

[74]专利代理机构上海新天专利代理有限公司代理人吕振萱

权利要求书4页说明书12页附图14页

[54]发明名称

高频集成电路微系统组件及其制作方法

[57]摘要

这里公开高频集成电路微系统组件及其制作方法。本公开的高频集成电路组件方法有最优化的结构，可最小化互联中的电磁能损耗。该组件优化了互联区域并消除了组件工艺所产生的大多数有害材料，因而无论对于集成电路组件，还是对环境都是有益的一种方法。已开发了各种具体用于高频集成电路封装的组件工艺，但它的多样性使它的用途从单片微波集成电路封装扩展到部分印刷电路板组件，并且由于对环境有益，所以可代替其它印刷电路板技术，特别是在高性能的应用中。高频集成电路组件包括一个第一基片(702),第三基片(703)和一个第二基片(701)以及它们之间的一个芯片，第二基片(701)由具有大高宽比的导体间的沟槽和大高宽比的导体(705,706,707,708)的绝缘体上有导体的片或类似片组成。由第一和第二基片形成

的公共地线(707,708,710,710’,711,711’)至少在邻近高频信号路径(706)处包围芯片。4权利要求书第1/4页

2

1、大面积平面高频集成电路组件包括：

第一基片(702,703),有至少一个用于芯片(709)的凹槽，芯片有一些焊点，所述第一基片上露出芯片焊点的一侧为功能侧，在所述功能侧有至少一个平面表面(710,711),且所述第一基片至少在功能侧是导电的；

绝缘体上有导体的第二基片(701),具有大高宽比的包括平面表面(708,710)的导体(705,706,707,708)和导体间的大高宽比的沟槽，功能侧的接地线及高频和DC信号路径被安排成，当第一和第二基片各功能侧的所述平面表面(710,711’,708,710’)以对齐的关系组装时能提供与芯片焊点(612)、周边接触点和公共地线区域的连接，所述信号路径和接地线各有一个导体面对着第一基片的功能侧，并且所述大高宽比的导体增加了芯片处的空气间隙(616);

第一和第二基片之间的公共地线区域(710,710),这些公共地线区域被贴到第一基片或第二基片上，以形成信号路径(705,706)的屏蔽腔(615),因而由第一和第二基片形成的公共地线(707,708,710,710’,711,711)至少在邻近高频信号路径(706)处包围了芯片；芯片的各焊点(610,612)和第二基片的各信号路径(603,611)之间彼此连接，

所述第二基片大于第一基片，从而使所述第二基片功能侧的信号路径的边缘接触点露出来。

2、按照权利要求1的高频集成电路组件，还包括：

作为第一基片的金属化的半导体，包括硅。

3、按照权利要求1的高频集成电路组件，还包括：

作为第一基片的一种金属结构，包括Ni,Cu,Ag或Au。

4、按照权利要求3的高频集成电路组件，其中，所述第一基片表面覆盖有金属层。

5、按照权利要求1的高频集成电路组件，还包括：

作为第一基片的压制的导电聚合物或金属化的非导电聚合物。

6、按照权利要求1的高频集成电路