CN102044419A 锗硅薄膜制备方法以及半导体器件制作方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102044419A

(43)申请公布日2011.05.04

(21)申请号200910197453.7

(22)申请日2009.10.20

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市浦东新区张江路18号

(72)发明人何有丰胡亚兰

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人李丽

(51)Int.CI.

HO1L21/205(2006.01)

HO1L21/324(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

锗硅薄膜制备方法以及半导体器件制作方法

提供衬底，所述衬底表面形成有栅极以及

提供衬底，所述衬底表面形成有栅极以及位于栅极两侧的补偿层

S2

在所述补偿层远离所述栅极的一侧衬底中刻蚀形成凹槽

采用828摄氏度至850摄氏度的温度条件，

对所述凹槽进行烘烤，接着，形成覆盖所

述凹槽的锗硅层

S1

CN102044419A一种锗硅薄膜制备方法以及半导体器件制作方法，所述锗硅薄膜制备方法包括：提供衬底，所述衬底表面形成有栅极以及位于栅极两侧的补偿层；在所述补偿层远离所述栅极的一侧衬底中刻蚀形成凹槽；采用828摄氏度至850摄氏度的温度，对所述凹槽进行烘烤，接着，形成覆盖所述凹槽的锗硅层。本发明通过设置合适的烘烤温度以

CN102044419A

CN102044419A权利要求书1/1页

2

1.一种锗硅薄膜制备方法，其特征在于，至少包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有栅极以及位于栅极两侧的补偿层；

在所述补偿层远离所述栅极的一侧衬底中刻蚀形成凹槽；

采用828摄氏度至850摄氏度的温度，对所述凹槽进行烘烤，接着，形成覆盖所述凹槽的锗硅层。

2.如权利要求1所述的锗硅薄膜制备方法，其特征在于，所述烘烤时间为60秒至120秒。

3.如权利要求2所述的锗硅薄膜制备方法，其特征在于，所述烘烤时间为90秒。

4.如权利要求2所述的锗硅薄膜制备方法，其特征在于，所述凹槽通过干法刻蚀方法形成。

5.如权利要求1所述的锗硅薄膜制备方法，其特征在于，所形成的锗硅层侧壁与底部的夹角介于90度到135.5度之间。

6.如权利要求1所述的锗硅薄膜制备方法，其特征在于，形成所述锗硅层的工艺条件为：压力为5Torr至50Torr,温度为600摄氏度至800摄氏度，采用流量为50sccm至150sccm的SiH?或者SiH?Cl?作为硅源，以及流量为5sccm至100sccm的含锗混合气体作为锗源，其中，GeH?占10%,而H?占90%。

7.如权利要求6所述的锗硅薄膜制备方法，其特征在于，在形成所述锗硅层的过程中，采用流量为50～200sccm的HCl作为锗硅层的清除气体。

8.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面形成有栅极以及位于栅极两侧的补偿层；

在所述补偿层远离所述栅极一侧形成侧墙；

在所述侧墙远离所述栅极的一侧衬底中刻蚀形成凹槽；

采用828摄氏度至850摄氏度的温度条件，对所述凹槽进行烘烤，接着，

形成覆盖所述凹槽的锗硅层；

对所述锗硅层进行离子掺杂，以形成有源区。

CN102044419A说明书1/4页

3

锗硅薄膜制备方法以及半导体器件制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及锗硅薄膜制备方法以及应用所述锗硅薄膜制备方法的半导体器件制作方法。

背景技术

[0002]锗硅(Si1-xGex)材料是硅和锗通过共价键结合形成的无限互溶的替位式固溶体。锗硅材料一般具有非晶、多晶、单晶和超晶格四种形态，由于其具有载流子迁移率高、能带宽度随锗的组分变化而连续可调等优点，并且能够与目前成熟的硅平面工艺相兼容，因此，锗硅材料在微电子和光电子方面可被大量应用于制作高速异质结双极型晶体管(HBT)、调制掺杂场效应管(MODFET)、光探测器等多种器件。

[0003]锗硅材料在现代集成电路制造中的应用十分广泛：例如可通过在HBT的基区掺入一定组分的锗元素，从而减小能带宽度，降低