《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力试验方法》.docxVIP

ICS31.080CCSL40

T/CASME

团体标准

T/CASMEXXXX—XXXX

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFETs)高温栅极恒定偏置应力和

交替偏置应力试验方法

Hightemperaturegateconstantbiasandalternatingbiastestmethodforsiliconcarbidemetaloxidesemiconductorfiledeffecttransistors(SiCMOSFETs)

(征求意见稿)

XXXX-XX-XX发布

XXXX-XX-XX

实

实施

中国中小商业企业协会发布

I

T/CASMEXXXX一XXXX

目次

前言 II

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4基本要求 2

5技术要求 2

6试验方法 2

7失效判定规则 8

8试验报告 8

II

T/CASMEXXXX一XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由××××提出。

本文件由××××归口。

本文件起草单位：

本文件主要起草人：

T/CASMEXXXX一XXXX

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFETs)高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力试验方法

1范围

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SicMOSFET)高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力的基本要求、技术要求、试验方法、失效判定规则和试验报告。

本文件适用于碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SicMOSFET)分立器件和功率模块。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T4586半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

3术语和定义

GB/T4586界定的术语和定义适用于本文件。

3.1

栅-源电压gate-sourcevoltage(Vas)

器件的栅极和源极之间的电压。

3.2

最大栅-源电压gate-sourcevoltagemaximum[Vas(wx]

器件的栅极和源极之间允许最大的电压。

3.3

最小棚-源电压gate-sourcevoltageminimum[Vaswne]

器件的栅极和源极之间允许最小的电压。

3.4

漏-源电压drain-sourcevoltage(V)

器件的漏极和源极之间的电压。

3.5

漏-源反向电压drain-sourcereversevoltage(Vs)

器件的源极和漏极之间的电压。

3.6

栅极漏电流gateleakagecurrent(Ia)

漏极-源极短路时，栅一源电压达到最大的条件下对应栅极电流的最大值。

3.7

漏极漏电流drainleakagecurrent(1≈)

在漏-源电压达到规定的电压值，栅一源电压达到规定条件下，对应漏极电流的最大值。3.8

栅-源阈值电压gate-sourcethresholdvoltage[Vas(h]

漏极电流值达到规定低值时的栅-源电压。

3.9

漏-源极导通电阻drain-sourceon-stateresistance[Ros(m)]

在规定的栅-源电压、漏极电流以及芯片结温下的漏极-源极之间的阻值。

工

2

T/CASMEXXXX一XXXX

3.10

击穿电压breakdownvoltage(draintosource)(V)

在规定的栅-源电压条件下，漏极电流达到规定低值时的漏极-源极电压。

3.11

环境温度ambienttemperature(T.)

测试环境参考点测得的温度。

3.12

结温junctiontemperature(T;)

器件中主要发热部分的半导体结的温度。

3.13

虚拟结温virtual_junctiontemperature(T,?)

通过间接手段测量得到的器件结温。

3.14

电源-测量单元sou