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《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力试验方法》.pdfVIP

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  • 2026-02-25 发布于河南
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《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力试验方法》.pdf

    ICS31.080

    CCSL40

    T/CASME

    团体标准

    T/CASMEXXXX—XXXX

    碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

    (SiCMOSFETs)高温栅极恒定偏置应力和

    交替偏置应力试验方法

    Hightemperaturegateconstantbiasandalternatingbiastestmethodforsilicon

    carbidemetaloxidesemiconductorfiledeffecttransistors(SiCMOSFETs)

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