CN108376703A 一种适用于AlGaN-GaN器件的欧姆接触制作方法 （北京华碳科技有限责任公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108376703A

(43)申请公布日2018.08.07

(21)申请号201810025969.2

(22)申请日2018.01.11

(71)申请人北京华碳科技有限责任公司

地址100084北京市海淀区清华园内清华

大学学研综合楼B座B801-034

(72)发明人梁世博

(74)专利代理机构北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200

代理人邱晓锋

(51)Int.CI.

HO1L29/45(2006.01)

HO1L29/40(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法

(57)摘要

CN108376703A本发明具体涉及一种适用于AlGaN/GaN器件的欧姆接触制作方法。该方法包括：对AlGaN/GaN材料进行表面处理；对所述AlGaN/GaN材料表面蒸发或溅射Ti金属；对所述Ti金属表面淀积SiO?保护层；对所述淀积SiO?保护层后的样品进行包封退火处理；去除所述包封退火处理后的SiO2保护层、Ti金属层