《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力试验方法》征求意见稿.docx

T/CASMEXXXX一XXXX

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFETs)高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力试验方法

1范围

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SicMOSFET)高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力的基本要求、技术要求、试验方法、失效判定规则和试验报告。

本文件适用于碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SicMOSFET)分立器件和功率模块。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T4586半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

3术语和定义

GB/T4586界定的术语和定义适用于本文件。

3.1

栅-源电压gate-sourcevoltage(Vas)

器件的栅极和源极之间的电压。

3.2

最大栅-源电压gate-sourcevoltagemaximum[Vas(wx]

器件的栅极和源极之间允许最大的电压。

3.3

最小棚-源电压gate-sourcevoltageminimum[Vaswne]

器件的栅极和源极之间允许最小的电压。

3.4

漏-源电压drain-sourc