CN101243556B 包括受应力的栅极金属硅化物层的高性能mosfet及其制作方法 （国际商业机器公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101243556B

(45)授权公告日2011.03.30

(21)申请号200680030545.0

(22)申请日2006.08.22

(30)优先权数据

11/208,9852005.08.22US

(85)PCT申请进入国家阶段日

2008.02.21

(86)PCT申请的申请数据

PCT/US2006/0329742006.08.22

(87)PCT申请的公布数据

WO2007/024984EN2007.03.01

代理人王茂华(51)Int.CI.

HO1L

HO1L

审查员

29/78(2006.01)

21/8238(2006.01)

赵凤瑷

(73)专利权人国际商业机器公司地址美国纽约

(72)发明人海宁·S·杨

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所

11256权利要求书3页说明书10页附图6页

(54)发明名称

包括受应力的栅极金属硅化物层的高性能MOSFET及其制作方法

(57)摘要

10124