CN101093850A 存储器件和制作该存储器件的方法 （奇梦达股份公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200710106474.4

[51]Int.Cl.

HO1L27/24(2006.01)

HO1L27/108(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)

G11C11/56(2006.01)

[43]公开日2007年12月26日[11]公开号CN101093850A

[22]申请日2007.6.1

[21]申请号200710106474.4

[30]优先权

[32]2006.6.2[33]US[31]11/445801

[71]申请人奇梦达股份公司地址德国慕尼黑

[72]发明人H·塞德尔

[74]专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人余刚李丙林

权利要求书2页说明书12页附图19页

[54]发明名称

存储器件和制作该存储器件的方法

[57]摘要

41本发明涉及一种存储器件，尤其涉及一种具有晶体管的电阻性转换存储器件，例如相变随机存取存储器(“PCRAM”)。而且，本发明涉及一种制作存储器件的方法。根据本发明的一个方案，提供一种存储器件，包括至少一个纳米线或纳米管或纳米纤维存取晶体管。优选地，该纳米线或纳米管或纳米纤