《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温栅极恒定偏置应力和交替偏置应力试验方法》编制说明.docx

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《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFETs)高温栅极恒

定偏置应力和交替偏置应力试验方法》

标准编制说明(征求意见稿)

一、工作简况

1.1工作任务来源

金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是高频电力电子系统中广泛应用的重要大功率控制器件。随着电力电子技术发展，对器件高压、高温和高频性能要求提高，传统硅基MOSFET难以满足需求。基于SiC材料的MOSFET(SiCMOSFET)具有高耐压与低导通电阻、高频开关特性、低开关损耗和耐高温性能等优异，能减小无源滤波元件体积和重量，提升系统效率和功率密度。

优异的性能促进SiCMOSFET市场规模迅速发展，据YoleGroup调查报告显示，目前SiCMOSFET市场规模年增长率接近50%,五年内市占率将达30%,且中国市场全球占比最高。到2030年，SiC功率器件市场规模将突破100亿美元。

高温栅极恒定偏置应力(High-TemperatureGateBias,HTGB)和交替偏置应力 (A1ternatingBiasStress)是评估器件在高温及偏置条件下可靠性的关键测试方法。部分厂商可能采用“低应力、短时间”测试降低成本，导致存在栅极隐患的器件流入市场。从而影响产品质量，导致劣币驱逐良币，不利于行业持续健康发展。且目前碳化硅MOSFET