CN101446759A 纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板 （武汉光迅科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

G03F7/00(2006.01)

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200810154430.3

[43]公开日2009年6月3日[11]公开号CN101446759A

[22]申请日2008.12.24

[21]申请号200810154430.3

[71]申请人武汉光迅科技股份有限公司

地址430074湖北省武汉市洪山区邮科院路88号

共同申请人华中科技大学

[72]发明人刘文王定理周宁赵彦立徐智谋

[74]专利代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所

代理人江镇华

权利要求书2页说明书6页附图3页

[54]发明名称

纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板

[57]摘要

一种纳米压印用二次压印模板的制作方法及其二次压印模板，方法是使用刻有分布反馈光栅图案的一次压印模板，是利用电子束直写技术在一次模板上制作100～1000个分布反馈光栅结构，在分布反馈光栅中间具有相移结构的一次压印模板，利用分步重复压印方法在另一基片上连续印制，将该基片制作出具有多个与一次压印模板上的分布反馈光栅图