CN101494144A 一种带栅极的纳米线冷阴极电子源阵列的结构及其制作方法和在平板显示的应用 （中山大学）.docxVIP

[51]Int.Cl.

[51]Int.Cl.

HO1J1/304(2006.01)

HO1J9/02(2006.01)

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200910004551.4

[43]公开日2009年7月29日[11]公开号CN101494144A

[22]申请日2009.3.4

[21]申请号200910004551.4

[30]优先权

[32]2009.2.23[33]CN[31]200910037318.6

[71]申请人中山大学

地址510275广东省广州市新港西路135号

[72]发明人许宁生陈军詹润泽麦强邓少芝佘峻聪

[74]专利代理机构广州新诺专利商标事务所有限公司

代理人华辉

权利要求书2页说明书9页附图12页

[54]发明名称

一种带栅极的纳米线冷阴极电子源阵列的结构及其制作方法和在平板显示的应用

[57]摘要

本发明公开了一种带栅极的纳米线冷阴极电子源阵列的结构及其制作方法和在平板显示的应用。该电子源阵列结构包括衬底，制作在衬底之上的相互交叉排列的阴极电极条和栅极电极条，阴极和栅极之间的绝缘层，以及制作在阴极电极条上的纳米线冷阴极阵列。该电子源阵列结构的制作采