CN101542758A 垂直发光二极管及其使用触止层制作垂直发光二极管的方法 （香港应用科技研究院有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

HO1L33/00(2006.01)

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200880000033.9

[43]公开日2009年9月23日[11]公开号CN101542758A

[22]申请日2008.6.16

[21]申请号200880000033.9

[30]优先权

[32]2007.8.10[33]US[31]11/891,466

[32]2008.3.28[33]US[31]12/058,059

[86]国际申请PCT/CN2008/0713222008.6.16

[87]国际公布WO2009/021416英2009.2.19

[85]进入国家阶段日期2008.6.23

[71]申请人香港应用科技研究院有限公司

地址中国香港新界沙田香港科学园科技大道西二号生物资讯中心三楼

[72]发明人褚宏深蔡勇

[74]专利代理机构深圳创友专利商标代理有限公司

代理人江耀纯

权利要求书4页说明书12页附图7页

[54]发明名称

垂直发光二极管及其使用触止层制作垂直发光二极管的方法

[57]摘要

12141212121