CN101540373A 蓝光顶发光型有机发光二极管结构及其制作方法 （南京邮电大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200910026491.6

[51]Int.Cl.

H01L51/50(2006.01)

HO1L51/52(2006.01)

H01L51/54(2006.01)

HO1L51/56(2006.01)

[43]公开日2009年9月23日[11]公开号CN101540373A

[22]申请日2009.4.22

[21]申请号200910026491.6

[71]申请人南京邮电大学

地址210003江苏省南京市新模范马路66号[72]发明人陈淑芬解令海陈春燕谢军

黄维刘式墉

[74]专利代理机构南京经纬专利商标代理有限公司

代理人叶连生

权利要求书1页说明书6页附图3页

[54]发明名称

蓝光顶发光型有机发光二极管结构及其制作方法

[57]摘要

蓝光光输出耦合层阴极电子传输/注入层蓝光发光层空穴注入/传输层阳极基底2726252402322-21本发明提供一种蓝光顶发光型有机发光二极管结构及其制作方法。该蓝光顶发光型有机发光二极管结构包括一基底；一反射电极(阳极),位于基底上；一空穴注入/传输层，位于反射电极上；一蓝光发光层，位于空穴传输层上；一电子传输/注入层，

蓝光

光输出耦合层

阴极

电子传输/注入层

蓝光发光层

空穴注入/传输层

阳极

基底

27

26

25

240

23

22

-21

2

200910026491.6权利要求书第1/1页

1.一种蓝光顶发光型有机发光二极管结构，其特征在于该二极管包括：

一基底；

一反射电极，位于所述基底上，用作阳极；

一空穴注入层、空穴传输层，位于所述反射电极上，用于注入/传输空穴；

一蓝光发光层，位于所述空穴传输层上，用于发射蓝光；

一电子传输/注入层，位于所述蓝光发光层上，用于传输/注入电子；

一半透明金属电极，位于所述电子注入层上，用作阴极；

一光输出耦合层，位于所述半透明金属电极上；

其中，光输出耦合层是半导体材料，用于减小半透明金属电极的反射，增加内部光的输出。

2.如权利要求1所述的蓝光顶发光型有机发光二极管结构，其特征在于反射电极被用做阳极兼反射镜。

3.如权利要求1所述的蓝光顶发光型有机发光二极管结构，其特征在于空穴注入层和空穴传输层分别由空穴注入材料和空穴传输材料构成，或由一层兼有空穴注入和传输性能的材料构成。

4.如权利要求1所述的蓝光顶发光型有机发光二极管结构，其特征在于空穴注入层由一层或多层空穴注入材料构成，空穴传输层由一层空穴传输材料构成。

5.如权利要求1所述的蓝光顶发光型有机发光二极管结构，其特征在于电子注入层由一层电子注入材料构成，电子传输层由一层或多层电子传输材料构成。

6.一种如权利要求1所述的蓝光顶发光型有机发光二极管结构的制作方法，其特征在于该发光二极管的制备过程如下：

A)覆盖SiO?的Si基底依次放入丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗各10分钟，然后置于烘箱中烘干，

B)将Si基底放入真空室，待到真空度达到5×10?Pa时，向SiO?表面真空蒸镀一层阳极材料Ag,厚度为100nm,

C)在阳极Ag上紫外处理或等离子处理形成一层空穴注入材料Ag?O,再真空蒸镀一层空穴注入材料m-MTDATA,

D)在空穴注入层m-MTDATA上真空蒸镀一层空穴传输材料NPB,

E)在空穴传输层NPB上真空蒸镀一层蓝光发光材料DPVBi,厚度为30nm,F)在蓝光发光层DPVBi上真空蒸镀一层电子传输材料Alq?,厚度为20nm,G)在电子传输层Alq?上真空蒸镀一层电子注入材料LiF,厚度为1nm,

H)在电子注入层LiF上真空蒸镀阴极材料Sm/Ag,厚度分别为11和12nm,I)在阴极Sm/Ag表面真空蒸镀光输出耦合材料BCP。

7.如权利要求6所述的蓝光顶发光型有机发光二极管结构的制作方法，其特征在于反射电极即阳极、空穴注入/传输层、蓝光发光层、电子传输/注入层、半透明金属电极即阴极、光输出耦合层均通过真空蒸镀技术逐层形成。

200910026491.6说明书第1/6页

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蓝光顶