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【毕业学位论文】（Word原稿）用磁控溅射方法制备非晶碳膜硅异质结及其电输运性质的研究-纳米材料与功能材料

一、引言

1.研究背景

(1)随着科技的快速发展，半导体材料在电子、光电子以及微电子领域扮演着至关重要的角色。其中，硅材料因其优良的物理和化学性质，长期以来一直是半导体工业的主导材料。然而，硅材料的电子迁移率较低，限制了其在高速电子器件中的应用。为了克服这一限制，研究人员不断探索新型的半导体材料，以期提高电子器件的性能。

(2)非晶碳膜作为一种新型半导体材料，近年来受到了广泛关注。它具有独特的物理化学性质，如高电子迁移率、优异的化学稳定性和可加工性。非晶碳膜的研究始于20世纪60年代，经过几十年的发展，其在电子器件中的应用逐渐拓展。据报道，非晶碳膜的电子迁移率可以达到硅材料的10倍以上，这为开发高性能电子器件提供了新的可能性。

(3)硅异质结作为一种重要的半导体器件结构，其性能对电子器件的整体性能有着显著影响。硅异质结通过形成能带不连续性，可以有效地提高电子器件的开关速度和降低功耗。然而，传统的硅异质结制备方法存在一定的局限性，如界面缺陷较多、制备工艺复杂等。因此，研究新型硅异质结结构及其制备方法，对于提高电子器件的性能具有重要意义。近年来，磁控溅射方法因其制备工艺简单、可控性好等优点，被广泛应用于硅异质结的制备中。

2.研究意义

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