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AlGaN：从光电特性到深紫外探测的前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的大家族中，AlGaN作为一种宽带隙半导体材料，正逐渐崭露头角，占据着越发重要的地位。它属于III族氮化物半导体，由铝（Al）、镓（Ga）和氮（N）三种元素组成，通过改变Al和Ga的组分比例，可以灵活地调整其禁带宽度，范围从氮化镓（GaN）的3.4eV连续变化到氮化铝（AlN）的6.2eV，这种独特的性质为其在众多领域的应用奠定了坚实基础。

深紫外探测技术作为光电子学领域的重要研究方向，在当今社会的诸多方面都有着不可或缺的作用。在生物医疗领域，深紫外探测器可用于生物分子的检测与