《模拟集成电路设计原理》第一次作业.PDFVIP

《模拟集成电路设计原理》第一次作业

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1.理想的硅突变pn结，掺杂浓度为NA=10atoms/cm和ND=10atoms/cm。

当T=300K时，分别在零偏电压、正偏电压为0.3V和反偏电压为5V条件下，

求：(a)内建电势；(b)耗尽区宽度；(c)最大电场强度。

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2.突变pn结的硅晶体掺杂浓度为NA=10atoms/cm和ND=10atoms/cm。

当T=300K，面积为10umx10um的pn结二极管通过一个47kΩ的电阻和

一个电压源反向偏置。求：(a)对t0，外加电压为5V；t≥0时，外加电压降

到0V，估算二极管电压从5V变到1.5V所用的时间(因为是近似求值，可以

用两个电压值之间的平均二极管电容)。(b)当输入信号从