新建1200VSiCMOSFET车规级功率芯片智能化生产线建设可行性研究报告.docx

新建1200VSiCMOSFET车规级功率芯片智能化生产线建设可行性研究报告

第一章项目总论

项目名称及建设性质

项目名称：新建1200VSiCMOSFET车规级功率芯片智能化生产线建设项目

项目建设性质：本项目属于新建高新技术产业项目，专注于1200VSiCMOSFET车规级功率芯片的研发、生产与销售，采用智能化生产设备与数字化管理系统，打造符合车规级认证标准的功率半导体生产线。

项目占地及用地指标：项目规划总用地面积60000平方米（折合约90亩），建筑物基底占地面积42000平方米；规划总建筑面积72000平方米，其中生产车间面积50000平方米、研发中心8000平