半导体物理习题课及答案.docxVIP

半导体物理习题课及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

在室温下，掺硼（P型）半导体的费米能级（E_F）位置（）。

A.在价带顶（E_v）之上

B.在禁带中央（E_i）附近

C.在导带底（E_c）之下

D.与E_i重合

本征半导体的主要载流子是（）。

A.电子和空穴

B.只有电子

C.只有空穴

D.杂质离子

PN结正向偏置时，耗尽层宽度（）。

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.随电压线性增加

光电导效应的原理是（）。

A.光子激发电子从价带到导带

B.光子使杂质电离

C.光子改变费米能级

D.光子引起载流子复合

在n型半导体中，多数载流子是（）。

A.电子

B.空穴

C.施主离子

D.受主离子

本征载流子浓度n_i的表达式为_________________（用温度T、禁带宽度E_g等表示）。

有效质量m*的公式为_________________（用能带结构E(k)表示）。

PN结耗尽层宽度W的计算公式为_________________（用掺杂浓度N_a、N_d等表示）。

光电导效应中，电导率的变化主要由于_________________的增加。

一块硅材料，掺磷浓度N_d=101?cm?3，室温（300K）下电子迁移率μ_n=1350cm2/(V·s)，空穴迁移率μ_p=480cm2/(V·s)。求：（1）多数载流子浓度；（2）电导率σ（忽略本征载流子影响）。

一个PN结，P区掺杂浓度N_a=101?cm?3，N区掺杂浓度N_d=101?cm?3，内建电势V_bi=0.7V。求反向偏置电压V=-5V时的耗尽层宽度W。

计算在T=300K时，硅的本征载流子浓度n_i（已知E_g=1.12eV，N_c=2.8×101?cm?3，N_v=1.04×101?cm?3，k=8.617×10??eV/K）。

简述直接带隙半导体与间接带隙半导体的发光效率差异，并举例说明其典型应用。

解释MOSFET阈值电压的影响因素。

试卷答案

选择题1：

答案：A

解析思路：掺硼是P型半导体，多数载流子是空穴，费米能级靠近价带顶；室温下杂质基本电离，因此费米能级位于价带顶之上。

选择题2：

答案：A

解析思路：本征半导体无杂质，电子和空穴浓度相等，都是主要载流子。

选择题3：

答案：B

解析思路：PN结正向偏置时，内建电势降低，耗尽层宽度变窄。

选择题4：

答案：A

解析思路：光电导效应是光子激发电子从价带跃迁到导带，增加载流子浓度，从而提高电导率。

选择题5：

答案：A

解析思路：n型半导体掺施主杂质，多数载流子是电子。

填空题1：

答案：n_i=\sqrt{N_cN_v}\exp\left(-\frac{E_g}{2kT}\right)

解析思路：本征载流子浓度公式涉及导带有效态密度N_c、价带有效态密度N_v、禁带宽度E_g、玻尔兹曼常数k和温度T。

填空题2：

答案：m^*=\frac{\hbar^2}{\frac{d^2E}{dk^2}}

解析思路：有效质量是能带结构E(k)的二阶导数的倒数，反映载流子在周期性势场中的惯性。

填空题3：

答案：W=\sqrt{\frac{2\epsilon_s(V_{bi}+V)}{q}\left(\frac{1}{N_a}+\frac{1}{N_d}\right)}

解析思路：耗尽层宽度公式考虑介电常数ε_s、内建电势V_bi、偏置电压V、电荷q和掺杂浓度N_a、N_d。

填空题4：

答案：载流子浓度

解析思路：光电导效应中，光照增加电子和空穴浓度，导致电导率变化。

计算题1：

答案：（1）多数载流子浓度n≈N_d=10^{16}cm^{-3}；（2）电导率σ≈qnμ_n=1.6×10^{-19}×10^{16}×1350=2.16S/cm

解析思路：n型半导体中，多数载流子是电子，浓度近似等于掺杂浓度；电导率主要由电子贡献，忽略空穴，使用σ=qnμ_n计算。

计算题2：

答案：W≈9.0×10^{-5}cm

解析思路：使用耗尽层宽度公式W=\sqrt{\frac{2\epsilon_s(V_{bi}+V_R)}{q}\left(\frac{1}{N_a}+\frac{1}{N_d}\right)}，其中ε_s=11.7×8.85×10^{-14}