AOD409 P沟道增强型MOSFET晶体管技术参数与热特性.pdfVIP

AOD409/AOI409

P沟道增强型场效应晶体管

一般描述特点

AOD/I409使用先进的沟槽技术来VDS(V)=‑60V

优异的RDS(ON)，低栅极电荷和低我=‑26A(V=‑10V)

DGS

栅极电阻。凭借DPAK封装的优异热阻，R40Ω(V=‑10V)@‑20A

DS(ON)GS

此器件非常适合高电流负载应用。R55欧姆(V=‑4.5V)

DS(ON)GS

高电流负载应用。

UIS测试完成！

Rg、Ciss、Coss、Crss测试完成

TO252TO‑251A

DPAKIPAK

顶视图底视图

顶视图底视图D

D

D

D

D

G

SGS

SG

GSDD

GS

绝对最大额定值T=25°C（另有说明除外）

A

参数符号最大值单位

漏源电压VDS-60V

栅源电压