半导体封装用4N键合丝行业洞察.pdf

1.半导体封装用4N键合丝定义

半导体封装用4N键合丝是一种高纯度钨丝，专门设计用于封装过程中的关键互连。由

于其卓越的纯度，该丝具有较低的电阻率，这转化为更好的电导率。其高纯度还改善了丝

的润湿性，增强了其键合能力。然而，这种纯度带来了弹性模量和抗张强度的降低，以及

更长的热影响区，这可能会影响键合的弧度和强度。尽管存在这些挑战，4N键合丝被设计

为提供可靠和高效的连接，这对于半导体封装的整体性能和耐用性至关重要。

图1：半导体封装用4N键合丝产品图片

来源：QYResearch化工及材料研究中心

2.半导体封装用4N键合丝的发展因素

2.1.半导体封装用4N键合丝的技术进化与材料创新驱动

半导体封装用4N键合丝（纯度达99.99%的键合金丝）作为传统高端互联材料，其发

展深受技术驱动因素影响，主要体现在线径持续微缩与材料体系创新两大方面。线径微缩

已成为性能提升的硬约束，主流行径正从20μm向12μm及以下快速发展，每缩小1μm即可

为芯片内部释放宝贵空间，支持更高集成度、更优电学性能及先进封装需求，如存储芯片

多层堆叠中超细键合线（直径≤10μm）占比快速上升，这直接满足了高密度封装、芯片小

型化及信号传输效率提升的核心要求。同时，材料体系创新构成竞争主战场，单纯依赖4N

纯度已不足以应对市