CN101976655A 液晶显示面板的薄膜晶体管基板与其制作方法 （华映视讯（吴江）有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101976655A

(43)申请公布日2011.02.16

(21)申请号201010257674.1

(22)申请日2010.08.17

(71)申请人华映视讯(吴江)有限公司

地址215217江苏省苏州市吴江经济开发区

同里分区江兴东路88号申请人中华映管股份有限公司

(72)发明人侯胜雄

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人孙长龙

(51)Int.CI.

HO1L21/77(2006.01)

GO3F7/00(2006.01)

HO1L27/12(2006.01)

GO2F1/1362(2006.01)

GO2F1/1368(2006.01)

GO2F1/1333(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图5页

(54)发明名称

液晶显示面板的薄膜晶体管基板与其制作方法

(57)摘要

CN101976655A本发明提供一种液晶显示面板的薄膜晶体管基板与其制作方法。此液晶显示面板的薄膜晶体管基板包括一基板、一储存电容电极、一第一绝缘层、一栅极、一栅极绝缘层、一图案化半导体层、一源极与一漏极、一第二绝缘层、以及至少一像素电极。其中，部分的像素电极与部分的储存电容电极彼此重迭，以形成一储存电容，且储存电容电极包括一图案化透明导电层与一图案化不透明导电层。再者，图案化透明导电层与图案化不透明导电层的设置位置由一灰阶光罩定义，并且图案化

CN101976655A

CN101976655A权利要求书1/2页

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1.一种液晶显示面板的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

于该基板上形成一透明导电层与一不透明导电层，其中该不透明导电层设置于该透明导电层上；

利用一灰阶光罩，图案化该透明导电层与该不透明导电层，以形成至少一储存电容电极，其中该储存电容电极包括一图案化透明导电层与一图案化不透明导电层，且该图案化透明导电层的面积大于该图案化不透明导电层的面积；

于该储存电容电极上形成一第一绝缘层；

于该基板上形成至少一栅极；

于该栅极上依序至少形成一栅极绝缘层、一图案化半导体层、一源极与一漏极、以及一第二绝缘层；以及

于该第二绝缘层与该第一绝缘层上形成至少一像素电极，其中部分该像素电极与部分该储存电容电极彼此重迭，以形成一储存电容。

2.如权利要求1所述的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，该栅极形成于该第一绝缘层上，且该第二绝缘层具有至少一接触孔，而该像素电极透过该接触孔与该漏极电性连接。

3.如权利要求1所述的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，该储存电容电极设置于该第二绝缘层上，且该第一绝缘层与该第二绝缘层具有至少一接触孔，而该像素电极透过该接触孔与该漏极电性连接。

4.如权利要求1所述的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，该灰阶光罩至少具有一第一区、一半透光区、与一第二区，该储存电容电极的该图案化不透明导电层大体上对应于该第一区，而该储存电容电极的该图案化透明导电层突出于该图案化不透明导电层的部分大体上对应于该半透光区。

5.如权利要求4所述的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，图案化该透明导电层与该不透明导电层的步骤包括：

于该不透明导电层上形成一光阻层；

利用一灰阶光罩对该光阻层进行一曝光制程；

于该曝光制程后，对该光阻层进行一显影制程，去除部分该光阻层，以形成一图案化光阻层，其中对应于该第一区的该图案化光阻层的厚度大于对应于该半透光区的该图案化光阻层的厚度；

移除未被该图案化光阻层保护的该不透明导电层与该透明导电层；

对该图案化光阻层进行一灰化制程，以缩减对应于该第一区的该图案化光阻层的厚度，并移除对应该半透光区的该图案化光阻层，以曝露出部分该不透明导电层；

移除未被该图案化光阻层覆盖保护的该不透明导电层；以及

移除该图案化光阻层。

6.如权利要求5所述的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，该光阻层为一正型光阻，而该第一区为一遮光区，且该第二区为一透光区。

7.如权利要求5所述的液晶显示面板的薄膜晶体管基板的制作方法，其中该光阻层为一负型光阻，而该第一区为一透光区，且该第二区为一遮光区。

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