CN101969099A 相变存储单元和其加热层的制作方法 （中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101969099A

(43)申请公布日2011.02.09

(21)申请号200910055512.7

(22)申请日2009.07.28

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市张江路18号

申请人中国科学院上海微系统与信息技术

研究所

(72)发明人王良咏向阳辉张复雄钟F林静冯永刚宋志棠

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

代理人屈蘅李时云

(51)Int.CI.

HO1L45/00(2006.01)

G11C11/56(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

相变存储单元和其加热层的制作方法

(57)摘要

CN101966099A本发明提供了一种相变存储单元的加热层的制作方法，包括：在基底上在基底上沉积氮化钛薄膜；在氮氧混合气体环境中，将所述氮化钛薄膜进行退火，形成氮氧化钛薄膜。还提供一种相变存储单元，包括：衬底、位于所述衬底上的绝缘层、贯穿所述绝缘层的相变单元，所述相变单元包括依次形成在所述衬底上的下电极、第一加热层、第一相变层、上电极，所述第一加热层的材料为氮

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CN101969099A权利要求书1/1页

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1.一种相变存储单元的加热层的制作方法，包括：

在基底上沉积氮化钛薄膜；

在氮氧混合气体环境中，将所述氮化钛薄膜进行退火，形成氮氧化钛薄膜。

2.如权利要求1所述的相变存储单元的加热层的制作方法，其特征在于，所述在基底上沉积氮化钛薄膜的方法是原子层沉积法。

3.如权利要求1所述的相变存储单元的加热层的制作方法，其特征在于，所述在基底上沉积氮化钛薄膜的方法是化学其相沉积法。

4.如权利要求1所述的相变存储单元的加热层的制作方法，其特征在于，所述在基底上沉积氮化钛薄膜的方法是使用金属前驱体在基底上沉积氮化钛薄膜。

5.如权利要求4所述的相变存储单元的加热层的制作方法，其特征在于，所述金属前驱体为二乙氨基四钛(TDEAT)或二甲氨基四钛(TDMAT)。

6.如权利要求1所述的相变存储单元的加热层的制作方法，其特征在于，氮气在所述氮氧混合气体中所占的体积比大于等于50%。

7.如权利要求1-6中任一项所述的相变存储单元的加热层的制作方法，其特征在于，所述退火的温度为大于等于150度小于等于350度。

8.如权利要求1-6中任一项所述的相变存储单元的加热层的制作方法，其特征在于，所述退火的时间为60秒～3600秒。

9.如权利要求1-6中任一项所述的相变存储单元的加热层的制作方法，其特征在于，形成的所述氮氧化钛薄膜的厚度为1nm至10nm、电阻率为10??~1Ω·m。

10.一种相变存储单元包括：衬底、位于所述衬底上的绝缘层、贯穿所述绝缘层的相变单元，所述相变单元包括依次形成在所述衬底上的下电极、第一加热层、第一相变层、上电极，所述第一加热层的材料为氮氧化钛。

11.如权利要求10所述相变存储单元，其特征在于，所述下电极和所述第一加热层之间还包括第二相变层。

12.如权利要求10所述相变存储单元，其特征在于，所述相变层和所述上电极之间还包括第二加热层。

13.如权利要求11或12所述相变存储单元，其特征在于，所述衬底的材料为硅，绝缘层的材料为氧化硅、所述上电极的材料为铝和所述下电极的材料为氮化钛，所述第一相变层的材料为硫族化合物合金薄膜。

14.如权利要求11或12所述相变存储单元，其特征在于，形成的所述氮氧化钛薄膜的厚度为1nm～10nm、电阻率为10?~1Ω·m。

CN101969099A说明书1/4页

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相变存储单元和其加热层的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及相变存储器领域，尤其涉及一种相变存储单元和其加热层的制作方法。

背景技术

[0002]相变存储器是目前存储器件中具有广大发展前景的一种非挥发性存储器件。相变存储器所具有的高速读取、高重复性可擦写