CN101938862B 一种具有螺管式加热电阻的三维微型加热器及其制作方法 （上海芯敏微系统技术有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101938862B

(45)授权公告日2012.08.15

(21)申请号201010278524.9

(22)申请日2010.09.10

审查员张岩

(73)专利权人上海芯敏微系统技术有限公司

地址200233上海市徐汇区宜山路800号

604室

(72)发明人李铁许磊王跃林

(74)专利代理机构上海智信专利代理有限公司

31002

代理人潘振性

(51)Int.CI.

B81B7/02(2006.01)

(56)对比文件

CN101795505A,2010.08.04,全文.

CN101566506A,2009.10.28,全文.

JP特开2002-169003A,2002.06.14,全文.

权利要求书2页说明书5页附图3页

(54)发明名称

一种具有螺管式加热电阻的三维微型加热器及其制作方法

(57)摘要

CN101938862B本发明涉及一种具有螺管式加热电阻的三维微型加热器及其制作方法，其特征在于横截面呈“V”字形或倒梯形结构的凹槽形加热区支撑膜通过支撑悬梁与衬底框架相连；上加热电阻丝和下加热电阻丝相连形成嵌入在加热区支撑膜内的螺管式加热电阻并通过支撑悬梁上的引线与衬底框架上的电极相连；加热区支撑膜及嵌入其中的螺管式加热电阻由支撑悬梁支撑悬浮于衬底硅之上。本发明提供的三维微型加热器的加热电阻呈螺管式结构且嵌入在加热区支撑膜内，能够实现环形加热，加热效率高。这种三维微型加热器特别

CN101938862B

CN101938862B权利要求书1/2页

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1.一种具有螺管式加热电阻的三维微型加热器，其特征在于：与硅100晶向成-40～+40度夹角的上加热电阻丝支撑梁横跨于横截面呈“V”字形或倒梯形结构的凹槽形加热区支撑膜上，加热区支撑膜通过支撑悬梁与衬底框架相连；排布在上加热电阻丝支撑梁上的上加热电阻丝和排布在加热区支撑膜内的下加热电阻丝相连形成嵌入在加热区支撑膜内的螺管式加热电阻并通过支撑悬梁上的引线与衬底框架上的电极相连；加热区支撑膜和支撑悬梁下方是采用硅各向异性湿法腐蚀形成的隔热腔体。

2.按照权利要求1所述的三维微型加热器，其特征在于上加热电阻丝支撑梁和加热区支撑膜由氧化硅和氮化硅的复合膜组成，单层膜厚为0.2～1.0微米，总层数为2～8层，总厚度在0.4～6.0微米。

3.按照权利要求1所述的三维微型加热器，其特征在于支撑悬梁的一端与衬底框架相连，另一端与凹槽形的加热区支撑膜相连，支撑悬梁以加热区支撑膜为中心对称排布。

4.按照权利要求1所述的三维微型加热器，其特征在于引线排布在任意两个支撑悬梁上，并连接螺管式加热电阻和衬底框架上的电极。

5.按照权利要求1所述的三维微型加热器，其特征在于隔热腔体的横截面是“V”字形或倒梯形的结构，位于加热区支撑膜和支撑悬梁的下方，使得加热区支撑膜及嵌入其中的螺管式加热电阻在支撑悬梁的支撑下悬浮于衬底硅之上。

6.按照权利要求1或3所述的三维微型加热器，其特征在于所述的支撑悬梁为二根或四根。

7.制作如权利要求1-5中任一项所述的三维微型加热器的方法，其特征在于只需三块光刻板实现所述的三维微型加热器制作，具体制作的步骤为：

(a)衬底选择，衬底仅限于(100)面的硅片；

(b)制作用于形成凹槽结构的正面腐蚀窗口，同时定义用于形成上加热电阻丝支撑梁的氧化硅层，首先在N型或P型(100)硅片的表面上采用热氧化、低压化学气相沉积或等离子增强化学气相沉积的方法制作一层氧化硅薄膜，然后进行光刻制作出窗口图形，在光刻胶的保护下利用反应离子刻蚀或离子束刻蚀刻蚀暴露的氧化硅，形成正面腐蚀窗口，同时定义用于形成上加热电阻丝支撑梁的氧化硅层的形状；

(c)制作横截面呈“V”字形或倒梯形结构的凹槽，同时释放用于形成上加热电阻丝支撑梁的氧化硅层，在氧化硅的保护下利用硅各向异性腐蚀液通过步骤(b)形成的腐蚀窗口，在硅片上腐蚀出横截面呈“V”字形或倒梯形结构的凹槽；

(d)制作加热区支撑膜和上加热电阻丝支撑梁，通过热氧化的方法在横截面呈“V”字形或倒梯形结构的凹槽内生长一层氧化硅；再通过低压化学气相沉积的方法在凹槽内的氧化硅和上加热电阻丝支撑梁的氧化硅上沉积一层氮化硅；然后再次通过低压化学气相沉积的方法依次沉积氧化硅和氮化硅，形成多层复合膜；