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CN112242353B 具有减少陷阱缺陷的半导体装置及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

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  • 2026-03-04 发布于山西
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CN112242353B 具有减少陷阱缺陷的半导体装置及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN112242353B

    (45)授权公告日2025.05.09

    (21)申请号202010488112.1

    (22)申请日2020.06.02

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112242353A

    (43)申请公布日2021.01.19

    (30)优先权数据

    16/514,3732019.07.17US

    (73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市新竹科学工业园力行

    六路8号

    (72)发明人蔡俊雄游国丰林佑明幸仁·万

    (74)专利代理机构北京律盟知识产权代理

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