半导体设备制造与调试技术人才选拔题目.docxVIP

第PAGE页共NUMPAGES页

2026年半导体设备制造与调试技术人才选拔题目

一、单选题（共10题，每题2分，合计20分）

考察方向：半导体设备基础知识、制造工艺流程、调试技术要点

1.在半导体光刻机中，以下哪种光源技术是目前最先进的7nm及以下节点的主流选择？

A.i-line（汞灯）

B.KrF准分子激光

C.ArF准分子激光

D.EUV（极紫外）光源

2.半导体刻蚀设备中，等离子体化学反应速率受哪种因素影响最大？

A.工作气压

B.温度

C.基板与等离子体距离

D.以上均影响，但以工作气压为主

3.在薄膜沉积设备中，PECVD（等离子体增强化学气相沉积）与CVD（化学气相沉积）的主要区别是什么？

A.PECVD需外加等离子体，CVD无需等离子体

B.PECVD沉积速率更高，CVD更适合大面积均匀性

C.PECVD设备成本更低，CVD设备更稳定

D.PECVD仅用于沉积氮化物，CVD仅用于沉积氧化物

4.半导体检测设备中，原子力显微镜（AFM）与扫描电子显微镜（SEM）的主要区别是什么？

A.AFM可检测导电样品，SEM需导电涂层

B.AFM分辨率高于SEM

C.AFM适用于纳米级形貌检测，SEM适用于微米级结构分析

D.AFM成本更高，SEM更普及

5.在半导体设备调试验证中，以下哪个参数属于设备关键性能指标（KPI