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CN111863623B 一种多层超结半导体器件的制备方法 （上海维安半导体有限公司）.docxVIP

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  • 2026-03-04 发布于山西
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CN111863623B 一种多层超结半导体器件的制备方法 （上海维安半导体有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN111863623B

    (45)授权公告日2025.05.09

    (21)申请号202010868843.9

    (22)申请日2020.08.25

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111863623A

    (43)申请公布日2020.10.30

    (73)专利权人上海维安半导体有限公司

    地址201323上海市浦东新区祝桥镇施湾

    七路1001号2幢

    (72)发明人任杰马治军苏海伟

    (74)专利代理机构上海申新律师事务所31272专利代理师党蕾

    (51)Int.Cl.

    H10D30/

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