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- 2026-03-04 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN106772133A
(43)申请公布日2017.05.31
(21)申请号201611072437.1
(22)申请日2016.11.29
(71)申请人西安电子科技大学
地址710071陕西省西安市太白南路2号西
安电子科技大学
(72)发明人李仙丽
(74)专利代理机构西安吉盛专利代理有限责任公司61108
代理人张恒阳
(51)Int.CI.
G01R33/00(2006.01)
GO1R33/032(2006.01)
权利要求书1页说明书3页附图1页
(54)发明名称
一种基于微纳光纤的空间磁场传感器及其制作方法
(57)摘要
CN106772133A本发明涉及一种基于微纳光纤的空间磁场传感器及其制作方法,该基于微纳光纤的空间磁场传感器至少包括:微纳光纤(1)和磁光玻璃薄片(2),所述的微纳光纤(1)由单模光纤(4)通过熔融拉锥工艺制成两端直径不变,中间为微纳量级的腰区结构,将制的中间为微纳光纤(1)的腰区与磁光玻璃薄片(2)通过光学胶(3)黏贴制成波导耦合结构。本发明的结构紧凑、体积微小、无
CN106772133A
CN106772133A权利要求书1/1页
2
1.一种基于微纳光纤的空间磁场传感器,其特征是:至少包括:微纳光纤(1)和磁光玻璃薄片(2),所述的微纳光纤(1)由单模光纤(4)通过熔融拉锥工艺制成两端直径不变,中间为微纳量级的腰区结构,将制的中间为微纳光纤(1)的腰区与磁光玻璃薄片(2)通过光学胶(3)黏贴制成波导耦合结构。
2.根据权利要求1所述的一种基于微纳光纤的空间磁场传感器,其特征是:所述微纳光纤(1)的腰区直径为2μm,微纳光纤(1)的腰区长度大于等于磁光玻璃薄片(2)长度。
3.根据权利要求1所述的一种基于微纳光纤的空间磁场传感器,其特征是:所述磁光玻璃薄片(2的尺寸为10mm×5mm×0.1mm,耦合间距为0.4μm。
4.根据权利要求1所述的一种基于微纳光纤的空间磁场传感器,其特征是:所述光学胶
(3)为硅凝胶,折射率为1.40。
5.一种基于微纳光纤的空间磁场传感器的制作方法,其特征是:至少包括如下步骤:
1)通过熔融拉锥工艺将单模光纤(4)制成微纳量级的腰区结构,通过熔融拉锥工艺将单模光纤(4)拉锥到两端直径不变,中间形成带尾纤的微纳光纤(1),微纳光纤(1)的拉锥长度具有不同腰区直径;
2)将制得微纳光纤(1)的腰区置于在磁光玻璃薄片(2)上,并控制微纳光纤(1)与磁光玻璃薄片(2)之间的耦合间距使其形成弱波导耦合结构;
3)将步骤2)中得到的耦合结构整体固定在玻璃基底(5)上,用低折射率的光学胶(3)将微纳光纤(1)与磁光玻璃耦合结构密封封装,待光学胶(3)固化后,传感器制备完成。
CN106772133A说明书1/3页
3
一种基于微纳光纤的空间磁场传感器及其制作方法
技术领域
[0001]本发明所属电磁测量与传感领域,特别涉及一种基于微纳光纤的空间磁场传感器及其制作方法。
背景技术
[0002]空间磁场检测技术在电力系统电网状态监测、电力设备故障诊断以及电磁兼容等一系列电网运行过程中发挥着至关重要的作用。传统磁场测量方法主要基于电学原理与方法。典型代表为电磁感应法和霍尔效应法。这类方法大部分使用金属导体或有源半导体作为传感探头,不仅造成系统的电气安全性较差,同时金属探头本身会对被测磁场的分布产生干扰,产生测量误差。
[0003]与传统的电子式磁场测量方法相比,光学磁场传感器由于利用光信号进行传感和传输,因此具有很强的抗电磁干扰能力,本质绝缘,电气安全性高,避免了电磁式传感器复杂的绝缘结构。此外,光学磁场传感器还具有测量范围大、频率响应范围宽、体积小、重量轻等技术优势,近年来受到了国内外研究者的广泛关注。
[0004]目前光学磁场传感器主要有基于磁致伸缩效应、磁流体磁光效应以及法拉第效应的磁场传感器。其中,基于法拉第效应的磁场传感器当前最典型,最具代表性的一类光学磁场传感器,其基本原理是依据磁光材料的法拉第效应。按照传感探头不同,可以分为块状材料型光学磁场传感
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