半导体后端工艺：传统封装方法组装工艺的详细解析.pdfVIP

半导体后端工艺：传统封装方法组装工艺的详

细解析

传统封装组装方法概述

在半导体制造领域，封装工艺是将晶圆上制造完成的芯片进行保护、连接

和最终产品化的关键环节。传统封装方法主要分为引线框架封装（leadframe

package）和基板封装（substratepackage）两大类型。这两种封装方式虽

然在最终引脚连接方式上存在差异，但其前期工艺流程具有高度的一致性。

塑料封装作为最主流的传统封装形式，其组装工艺始于晶圆测试后的背面

研磨工序。这一阶段需要将晶圆减薄至适合封装的特定厚度，随后通过精密的

切割工艺将晶圆分割为独立的芯片单元。经过严格的质量筛选后，合格的芯片

将通过贴装工艺固定在引线框架或基板上。电气连接环节则采用引线键合技

术，使用金属导线实现芯片与基板间的信号传输。最终，整个结构会被环氧树

脂模塑料（EMC）包裹密封，形成完整的封装保护。

值得注意的是，引线框架封装和基板封装在工艺流程的后半段开始出现显

著差异。引线框架封装需要经过切筋、电镀和成型三个关键步骤，而基板封装

则需完成植球和切单工序。这些差异主要源于两种封装形式在最终产品应用和

连接方式上的不同需求。

第一步：背面研磨工艺详解

背面研磨是封装工艺流程中的首要环节，其核心目的是将晶圆加工至适合

封装特性的最佳厚度。这一工艺对后续所有工序的质量都具有决定性影响，需

要极其精确的控制和操作。

在实际操作中，背面研磨工艺包含四个主要步骤。首先，必须在晶圆正面

覆盖专用的背面研磨保护胶带，这一保护措施至关重要，它能有效防止晶圆正

面精密电路在研磨过程中受到物理损伤。随后进入实质性的研磨阶段，这一过

程采用分级研磨策略：先使用高速旋转的粗磨轮去除大部分多余材料，这一阶

段的研磨量通常占总去除量的80%以上；接着换用细磨轮进行精磨处理，确保

厚度精度控制在微米级；最后使用特制抛光垫对晶圆背面进行最终抛光，以获

得理想的表面光洁度。

对于不同封装需求，晶圆的目标厚度也存在显著差异。单芯片封装通常要

求晶圆厚度控制在200-250微米范围内，而堆叠封装由于需要容纳多层芯片，

对晶圆厚度的要求更为苛刻，往往需要减薄至100微米以下。这种极薄化处理

带来了额外的技术挑战，特别是晶圆弯曲问题。为解决这一难题，现代工艺采

用承载薄膜（mountingtape）和环形框架的组合方案，通过机械支撑保持晶

圆平整度，直至完成全部研磨工序。

第二步：晶圆切割技术深入探讨

晶圆切割是将整片晶圆分割为独立芯片的关键工序，其质量直接影响芯片

的良率和可靠性。传统刀片切割法采用高硬度金刚石刀头的轮状锯片，沿着预

先设计的划片槽进行精确切割。划片槽的宽度设计必须充分考虑锯片厚度和切

割容差，通常在50-100微米范围内，以确保切割过程不会损伤邻近的功能器

件。

刀片切割技术虽然成熟可靠，但随着晶圆厚度持续减薄，其局限性日益显

现。当晶圆厚度低于100微米时，机械切割带来的应力极易导致芯片边缘产生

微裂纹，严重影响产品可靠性。为解决这一问题，激光切割技术应运而生。这

种非接触式切割方法利用高能量激光束在晶圆内部形成改质层，通过精确控制

激光参数实现无应力切割，特别适合超薄晶圆的加工需求。

近年来，先切割后研磨（DBG）工艺的创新发展为超薄芯片制造提供了新

的解决方案。与传统工艺顺序相反，DBG先在晶圆正面进行部分深度的激光切

割，形成预设的分离槽，然后再进行背面研磨减薄。最后通过承载薄膜扩张法

（MTE）使芯片完全分离。这种创新工艺顺序有效降低了超薄芯片在切割过程

中的破损风险，显著提高了生产良率。

第三步：芯片贴装工艺全面解析

芯片贴装是将分割后的芯片精确转移到基板或引线框架上的关键工序。这

一过程需要解决两个看似矛盾的技术需求：在切割阶段需要足够强的粘附力防

止芯片脱落，而在贴装阶段又需要顺利剥离芯片而不造成损伤。

现代贴装工艺采用紫外线照射调节技术来平衡这一矛盾。在切割前，承载

薄膜具有强粘性以确保芯片稳定；在贴装前，通过紫外线照射使粘合剂发生光

降解反应，从而降低粘附力，实现芯片的安全剥离。贴装使用的粘合剂主要分

为液体和固体两大类。液体粘合剂通常采用精密点胶或网板印刷方式施加，能

实现极高的位置精度；而固体粘合剂则以晶片黏结薄膜（DAF）的形式应用，

特别适合堆叠封装等复杂结构。

对于三维堆叠封装，DAF技术展现出独