CN106941117B 基于悬浮超结的氮化镓基异质结电流孔径器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106941117B公告日2019.07.16

(21)申请号201710136225.3

(22)申请日2017.03.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106941117A

(43)申请公布日2017.07.11

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维石朋毫郝跃马佩军

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

HO1L29/47(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

(56)对比文件

CN205692835U,2016.11.16,

CN205231071U,2016.05.11,

US2016/0218212A1,2016.07.28,CN105140302A,2015.12.09,

审查员张玉萍

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/417(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图6页

(54)发明名称

基于悬浮超结的氮化镓基异质结电流孔径器件及其制作方法

(57)摘要

CN106941117B本发明公开了一种基于悬浮超结的氮化镓基异质结电流孔径器件，主要解决现有技术无法实现良好的双向阻断的问题。其自下而上包括：肖特基漏极(13)、衬底(1)、漂移层(4)、孔径层(5)、左右两个对称的电流阻挡层(6)、沟道层(8)、势垒层(9)和栅极(12),两个电流阻挡层(6)之间形成孔径(7),势垒层上的两侧淀积有两个源极(11),两个源极下方通过离子注入形成两个注入区(10);其中：衬底上方与漂移层下方之间设有两个对称的P柱(2)和一个N柱(3),两个P柱位于N柱的左右两侧。本发明具有良好的双向阻断能力，正向击穿电压和反向击穿电压高，可用

CN106941117B

蓉极

蓉极

电流阻挡层6

漂移层4

Wp

P柱2

衬底1

肖特基漏极13

棚极12势垒层9沟道层s

孔径层5

孔径7W

电流阳挡层6

P柱2

N柱3

Wp

CN106941117B权利要求书1/2页

2

1.一种基于悬浮超结的氮化镓基异质结电流孔径器件，包括：衬底(1)、漂移层(4)、孔径层(5)、左右两个对称的电流阻挡层(6)、沟道层(8)和势垒层(9),衬底(1)的下部设有肖特基漏极(13),势垒层(9)上的两侧淀积有两个源极(11),两个源极(11)下方通过离子注入形成两个注入区(10),源极之间的势垒层上淀积有栅极(12),两个对称的电流阻挡层(6)之间形成孔径(7),其特征在于：

所述衬底(1)与漂移层(4)之间，设有两个采用p型GaN材料的柱形结构，即两个P柱(2)和一个采用n型GaN材料的柱形结构，即N柱(3),且两个P柱(2)位于N柱(3)的左右两侧，每个P柱(2)的厚度与N柱(3)的厚度相同。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于衬底(1)的厚度U根据实际制作工艺确定，其取值范围为3～30μm。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于肖特基漏极(13)采用功函数大于4.5eV的金属。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于每个P柱(2)的宽度WP为0.5～5μm。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于N柱(3)的宽度Wn为每个P柱(2)宽度WP的二倍，即Wn=2Wp,N柱(3)的厚度H为5～40μm。

6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于P柱(2)与N柱(3)的掺杂浓度相同，均为5×101?~5×1017cm-。

7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于漂移层(4)的掺杂浓度为1×101?~1×101?cm?3,厚度L为3～25μm。

8.一种制作基于悬浮超结的氮化镓基异质结电流孔径器件的方法，包括如下过程：

A.制作衬底(1):

采用掺杂浓度为5×101?~5×1017cm?3、厚度U为