CN106848085A Qled器件及其制作方法、qled显示面板和qled显示装置 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106848085A

(43)申请公布日2017.06.13

(21)申请号201710224387.2

(22)申请日2017.04.07

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

(72)发明人梅文海陈卓张渊明

(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001

代理人江鹏飞陈岚

(51)Int.CI.

HO1L51/50(2006.01)

HO1L51/56(2006.01)

HO1L27/32(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

QLED器件及其制作方法、QLED显示面板和QLED显示装置

S101形成第一电极层

S101

形成第一电极层

S102

在所述第一电极层上形成量子点层

S103

使包含双官能团分子的混合溶剂渗入所述量子点层内部，从而改善所述量子点层的结构

S104

在所述量子点层上形成第二电极层

CN106848085A本发明实施例提供了一种QLED器件及其制作方法、QLED显