HEXFET功率MOSFET优势及应用.pdfVIP

IRFP4668PbF

HEXFET功率MOSFET

应用DVDSS200V

开关电源中的高效同步整流不间断电源高速功

率切换硬开关和高频电路RDS(on)典型值8.0m

Gmax.9.7米

SID130A

优势

改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性完全表

征的电容和雪崩SOA增强的体二极管dV/dt和D

dI/dt能力无铅

S

D

G

TO‑247AC

GDS

e漏极源极

绝对最大额定值

符号参数Max.单位

I@T=25°C连续漏极电流，V@10V

DCGS

I@T=100°C连续漏极电流，V@10VA

DCGS

IDM脉冲漏极电流

P@T=25°C最大功率耗散W

DC

线性降额系数W/°C

VGS栅极‑源极电压V

dv/dt峰值二极管恢复V/ns

TJ工作结温和‑55175°C

TSTG温度范围

焊接温度，持续10秒