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半导体物理与器件第三版课后习题答案试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.在本征硅中，温度升高，下列哪个载流子浓度会降低？

A.电子浓度

B.空穴浓度

C.净电荷密度

D.有效质量

2.P型半导体中，掺入的杂质元素是？

A.硼(B)

B.砷(As)

C.铟(In)

D.铝(Al)

3.对于N型半导体，下列描述正确的是？

A.多数载流子是空穴，少数载流子是电子

B.杂质原子接受电子，形成受主能级

C.杂质原子提供多余价电子，形成施主能级

D.本征载流子浓度远大于杂质引入的载流子浓度

4.当N型半导体和P型半导体接触形成PN结时，空间电荷区的特点是？

A.内部存在电场，且P区电场方向指向N区

B.内部存在电场，且N区电场方向指向P区

C.内部没有电场，呈电中性

D.内部充满多数载流子，无空间电荷

5.PN结加反向电压时，下列说法正确的是？

A.扩散电流大于漂移电流

B.漂移电流远大于扩散电流

C.扩散电流和漂移电流均消失

D.PN结电容增大

6.二极管正向偏置时，其正向压降（对于硅管）通常约为？

A.0.1V

B.0.5V

C.0.7V

D.1.0V

7.稳压二极管工作在？

A.正向导通区

B.反向截止区

C.反向击穿区

D.齐纳击穿区

8.晶体三极管实现放大作用的基础是？

A.发射结正向偏置，集电结反向偏置（对于NPN管）

B.发射结反向偏置，集电结正向偏置

C.发射结和集电结均正向偏置

D.发射结和集电结均反向偏置

9.MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）的导电沟道是由下列哪一方形成的？

A.P型衬底

B.N型衬底

C.栅极电压控制下，衬底中的电荷

D.源极和漏极之间的导线

10.MOSFET工作在饱和区时，其输出特性曲线的特点是？

A.转移特性曲线近似线性

B.输出电流随漏极电压线性增加

C.输出电流基本不随漏极电压变化，而随栅极电压变化

D.栅极电流等于零

二、填空题（每空2分，共20分）

1.半导体中的本征载流子是通过______产生的，其浓度与温度______。

2.当PN结处于反向偏置时，空间电荷区（耗尽层）的宽度会______。

3.二极管的核心特性是______特性。

4.晶体三极管中有三个电极，分别称为______、______和______。

5.对于增强型NMOSFET，当栅极电压VGS低于______电压时，器件不导电。

6.场效应管的输入电阻______普通晶体三极管的输入电阻。

7.空间电荷区（耗尽层）主要是由______和______构成的。

8.硅的禁带宽度约为______eV。

三、简答题（每题5分，共20分）

1.简述扩散运动和漂移运动的区别。

2.解释什么是PN结的击穿现象，并说明有哪两种主要的击穿方式。

3.简述BJT（双极结型晶体管）的电流放大作用是如何实现的。

4.说明MOSFET的栅极是如何控制其导电状态的，其控制机制与BJT有何根本不同。

四、计算题（每题10分，共30分）

1.一个硅PN结，在本征情况下，T=300K时，电子和空穴的浓度ni=1.5x10^10cm^-3。若在P区掺入掺杂浓度NA=10^19cm^-3的受主杂质，在N区掺入掺杂浓度ND=10^20cm^-3的施主杂质。求：（1）平衡时，N区的电子浓度pN和P区的空穴浓度pP；（2）空间电荷区的宽度（假设耗尽层近似）。

（已知：q=1.6x10^-19C，k=1.38x10^-23J/K，T=300K，Si的介电常数ε=11.7ε?，ε?=8.85x10^-12F/m）

2.一个硅二极管，其正向压降为0.7V，反向漏电流为10μA。若在其两端施加一个直流电压源V=5V，方向为正向。试估算流过二极管的电流I。假设二极管的反向特性符合理想指数模型，但需考虑反向漏电流。

3.一个增强型NMOSFET，其阈值电压Vth=2V。当VGS=5V，VDS=5V时，测得漏极电流ID=2mA。假设器件工作在饱和区。求：（1）沟道长度调制参数λ（假设λ=0，先计算理想情况下的IDsat，再根据实测ID计算λ）；（2）若