掺钕铋系列铁电薄膜：制备工艺、性能调控与应用探索.docx

掺钕铋系列铁电薄膜：制备工艺、性能调控与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在过去的半个世纪里，以硅集成电路为核心的微电子技术取得了举世瞩目的进展，深刻改变了人们的生活和工作方式。半导体芯片的集成度遵循摩尔定律不断提升，这使得其基本构成单元MOS器件的特征尺寸持续缩小。当MOS器件从微米尺度迈入纳米尺度时，短沟道效应和量子效应等一系列问题逐渐凸显，成为微电子技术进一步发展的严重阻碍。这些问题不仅导致器件性能的下降，还增加了功耗和制造成本，限制了芯片的进一步小型化和高性能化。

为了解决这些问题，寻找一种高介电常数（High-k）材料来取代原有的SiO?成为了微电子领域的研究热点