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铝镓氮纳米取向薄膜：制备工艺、结构表征与场发射性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体领域，铝镓氮（AlGaN）纳米取向薄膜作为一种新型的宽能隙半导体材料，正逐渐崭露头角，成为研究的焦点之一。其独特的材料特性，如宽带隙、高电场饱和漂移速度、高热稳定性和较高的电子亲和能等，使其在众多领域展现出巨大的应用潜力。

宽带隙特性赋予了AlGaN纳米取向薄膜出色的绝缘性能和高击穿电场强度，这使得它在高功率电子器件中具有不可或缺的地位。在5G通信基站、卫星通信等领域，高功率电子器件需要能够在高电压、大电流的条件下稳定工作，AlGaN纳米取向薄膜凭借其优异的性能，能够有效提高