特性:纳米封装,双电压端口,高ESD保护,低功耗.pdfVIP

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特性:纳米封装,双电压端口,高ESD保护,低功耗.pdf

特性

德州仪器NanoFreeTM封装1.2V至3.6V在A端口和1.65V至5.5V在

B端口(≤)‑功能–如果任一输入处于GND,所有输

出均处于高阻抗状态OE输入电路参考‑低功耗,最大4‑μA‑支

CCAoff

持部分断电模式操作‑锁存性能超过100mA(JESD78,II类)ESD保护

超过JESD22

•A端口2500‑V模型(A114‑B)

•200‑V机器模型(A115‑A)1500‑V

带电设备模型(C101)B端口15‑kV人

体模型(A114‑B)

•200‑V机器模型(A115‑A)1500‑V充

电设备模型(C101)

FEATURES

AvailableintheTexasInstrumentsNanoFree™Packages

1.2Vto3.6VonAPortand1.65Vto5.5VonBPort(≤)

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