T_CASAS 046-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态反偏(DRB)试验方法.docxVIP

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  • 2026-03-06 发布于河北
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T_CASAS 046-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态反偏(DRB)试验方法.docx

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS046—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

(SiCMOSFET)动态反偏(DRB)

试验方法

Dynamicreversebias(DRB)testmethodforsiliconcarbidemetal-oxide

semiconductor

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