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集成电路技术基础试题及答案

一、选择题（每题2分，共20分）

1.本征半导体在室温下导电能力的主要载流子是（）。

A.自由电子B.空穴C.自由电子和空穴D.杂质离子

2.下列工艺中，用于在硅衬底上生长二氧化硅（SiO）薄膜的

是（）。

A.光刻B.氧化C.离子注入D.化学气相沉积（CVD）

3.N沟道增强型MOSFET的开启电压（Vth）特性是（）。

A.Vth0，栅源电压VgsVth时导通B.Vth0，Vgs

Vth时导通

C.Vth0，VgsVth时导通D.Vth0，VgsVth时导通

4.CMOS反相器在静态工作时，其总功耗主要来源于（）。

A.导通功耗B.截止功耗C.动态功耗D.短路功耗

5.集成电路制造中，光刻工艺的核心