超大规模集成电路铜互连CMP划痕试题库及答案.pdfVIP

超大规模集成电路铜互连CMP划痕试题库及

答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.CMP技术中，铜互连常用的磨料是（）

A.氧化铝B.氧化硅C.碳化硅

答案：B

2.铜互连CMP过程中，导致划痕产生的主要因素是（）

A.压力不均B.抛光液温度C.设备转速

答案：A

3.以下哪种不是铜互连CMP划痕的常见类型（）

A.直线划痕B.点状划痕C.螺旋划痕

答案：C

4.提高铜互连CMP质量，关键在于控制（）

A.抛光时间B.磨料粒径C.抛光垫状态

答案：C

5.铜互连CMP时，磨料粒径增大，划痕会（）

A.变浅B.变深C.无变化

答案：B

6.通常铜互连CMP中，抛光压力升高，划痕（）

A.减少B.增多C.不确定

答案：B

7.良好的铜互连CMP抛光垫表面应（）

A.光滑B.粗糙C.有凹槽

答案：A

8.铜互连CMP过程中，下列哪个因素对划痕影响较小（）

A.清洗环节B.芯片材质C.磨料浓度

答案：B

9.为减少铜互连CMP划痕，抛光液的pH值应（）

A.保持稳定B.随意调整C.越低越好

答案：A

10.铜互连CMP设备定期维护的目的不包括（）

A.减少划痕B.提高效率C.增大磨料粒径

答案：C

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.可能导致铜互连CMP产生划痕的因素有（）

A.磨料团聚B.抛光垫磨损C.抛光液流量不稳定

答案：ABC

2.控制铜互连CMP划痕的方法有（）

A.优化抛光参数B.定期更换抛光垫C.提高磨料硬度

答案：AB

3.铜互连CMP划痕会影响（）

A.芯片性能B.芯片可靠性C.芯片外观

答案：ABC

4.优质的铜互连CMP抛光液应具备（）

A.合适的酸碱度B.稳定的成分C.高腐蚀性

答案：AB

5.铜互连CMP过程中，与划痕有关的设备因素有（）

A.抛光头平整度B.清洗喷头堵塞C.设备振动

答案：ABC

6.下列哪些措施有助于减少铜互连CMP划痕（）

A.对磨料进行预处理B.降低抛光温度C.调整抛光液流速

答案：AC

7.铜互连CMP划痕按形态可分为（）

A.横向划痕B.纵向划痕C.不规则划痕

答案：ABC

8.影响铜互连CMP磨料性能的因素包括（）

A.粒径分布B.硬度C.形状

答案：ABC

9.铜互连CMP时，抛光垫的哪些特性会影响划痕（）

A.硬度B.弹性C.粗糙度

答案：ABC

10.为降低铜互连CMP划痕风险，对原材料的要求有（）

A.磨料纯度高B.抛光垫质